Etude et validation d'un modèle de transistor bipolaire dédié aux applications hautes fréquences

Abstract

Le développement de transistors bipolaires dédiés aux applications hautes fréquences a mis en évidence les limites des modèles électriques de ce dispositif. Le transistor étant utilisé dans des conditions de fonctionnement fortement non-linéaires, le modèle employé lors de la conception du circuit doit pouvoir décrire le comportement physique du transistor sur une large gamme de polarisation. Après avoir défini les besoins des utilisateurs ainsi que les modèles disponibles dans le domaine publique, le choix d'étude du modèle HICUM a été fait. La physique du transistor bipolaire est rappelée afin de décrire ce modèle. La compréhension des origines physiques du modèle a permis, par la suite, de développer un modèle dit paramétré. Ce modèle paramétré prend en compte les variations géométriques des paramètres physiques du transistor. Cette étude est complétée par la description des étapes d'extraction des paramètres du modèle HICUM ainsi que ceux du modèle paramétré. La mise en place de ces méthodes a permis de valider les deux modèles sur des transistors à hétérojonctions SiGe les plus rapides.