Etude et validation d'un modèle de transistor bipolaire dédié aux applications hautes fréquences
dc.contributor.author | BERGER, Dominique | |
dc.date | 2004-06-18 | |
dc.date.accessioned | 2021-01-13T14:03:22Z | |
dc.date.available | 2021-01-13T14:03:22Z | |
dc.identifier.uri | https://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/25283 | |
dc.description.abstract | Le développement de transistors bipolaires dédiés aux applications hautes fréquences a mis en évidence les limites des modèles électriques de ce dispositif. Le transistor étant utilisé dans des conditions de fonctionnement fortement non-linéaires, le modèle employé lors de la conception du circuit doit pouvoir décrire le comportement physique du transistor sur une large gamme de polarisation. Après avoir défini les besoins des utilisateurs ainsi que les modèles disponibles dans le domaine publique, le choix d'étude du modèle HICUM a été fait. La physique du transistor bipolaire est rappelée afin de décrire ce modèle. La compréhension des origines physiques du modèle a permis, par la suite, de développer un modèle dit paramétré. Ce modèle paramétré prend en compte les variations géométriques des paramètres physiques du transistor. Cette étude est complétée par la description des étapes d'extraction des paramètres du modèle HICUM ainsi que ceux du modèle paramétré. La mise en place de ces méthodes a permis de valider les deux modèles sur des transistors à hétérojonctions SiGe les plus rapides. | |
dc.description.abstractEn | The development of bipolar transistors using in high frequencies applications highlights the limits of the electrical model of this active device. As the device works in extremely non-linear conditions, the used model must describe accurately the physical behaviour of the transistor in a wide bias range. After specifying the requirement of designers and the available models in the public domain, the HICUM model has been chosen for the study. Then the physics of the bipolar transistor is remined in order to describe this model. The physical understanding of the model has allowed to develop a scalable model. This scalable model takes into account the geometrical dependencies of the bipolar transistor. The description of the different extraction steps needed to obtain the HICUM model and the scalable model parameter is performed. These methods have contributed to validate the both models on high speed SiGe heterojunction transistors. | |
dc.format | application/pdf | |
dc.language | fr | |
dc.rights | free | |
dc.subject | Electronique | |
dc.subject | Modélisation | |
dc.subject | Transistor bipolaire | |
dc.subject | Modèle HICUM | |
dc.subject | Modèle paramétré | |
dc.subject | Méthode d’extraction | |
dc.title | Etude et validation d'un modèle de transistor bipolaire dédié aux applications hautes fréquences | |
dc.type | Thèses de doctorat | |
bordeaux.hal.laboratories | Thèses Bordeaux 1 Ori-Oai | * |
bordeaux.institution | Université de Bordeaux | |
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