SEU sensitivity trends of three successive generations of COTS SRAMs at ultra low bias voltage
SOLINAS, M.
Techniques de l'Informatique et de la Microélectronique pour l'Architecture des systèmes intégrés [TIMA]
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SOLINAS, M.
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VELAZCO, Raoul
Techniques de l'Informatique et de la Microélectronique pour l'Architecture des systèmes intégrés [TIMA]
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Techniques de l'Informatique et de la Microélectronique pour l'Architecture des systèmes intégrés [TIMA]
Idioma
en
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
Este ítem está publicado en
Conference on Radiation Effects on Components and Systems (RADECS 2017), 2017-10-02, Geneva. 2017
Resumen en inglés
Radiation tests with 14.2 MeV neutrons were performed at ultra low bias voltages on COTSSRAMs manufactured on 130nm, 90nm and 65nm CMOS processes. Experimental resultswith power supplies in 0.5V-3.17V are presented and discussed
Radiation tests with 14.2 MeV neutrons were performed at ultra low bias voltages on COTSSRAMs manufactured on 130nm, 90nm and 65nm CMOS processes. Experimental resultswith power supplies in 0.5V-3.17V are presented and discussed< Leer menos
Orígen
Importado de HalCentros de investigación