Thumbnail
Métadonnées
Afficher la notice complète
Licence d’utilisation du document

SEU sensitivity trends of three successive generations of COTS SRAMs at ultra low bias voltage

CLEMENTE, J.A.
Universidad Complutense de Madrid = Complutense University of Madrid [Madrid] [UCM]
FRAIRE, J.A.
Bioingénierie tissulaire [BIOTIS]
SOLINAS, M.
Techniques de l'Informatique et de la Microélectronique pour l'Architecture des systèmes intégrés [TIMA]
Voir plus >
Langue
en
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
Ce document a été publié dans
Conference on Radiation Effects on Components and Systems (RADECS 2017), 2017-10-02, Geneva. 2017
Résumé en anglais
Radiation tests with 14.2 MeV neutrons were performed at ultra low bias voltages on COTSSRAMs manufactured on 130nm, 90nm and 65nm CMOS processes. Experimental resultswith power supplies in 0.5V-3.17V are presented and discussed
URI
https://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/79028
Origine
Importé de hal
Unités de recherche