Fiabilité des diodes lasers DFB 1,55 µm pour des applications de télécommunication : approche statistique et interaction composant-système
Thèses de doctorat
Date de soutenance
2006-03-03Résumé
Ces travaux de thèse décrivent le développement et la mise en oeuvre d’une méthodologie d’estimation de la fiabilité à long terme d’une technologie stabilisée de diode laser à contre-réaction répartie (DFB) 1,55µm à couche ...Lire la suite >
Ces travaux de thèse décrivent le développement et la mise en oeuvre d’une méthodologie d’estimation de la fiabilité à long terme d’une technologie stabilisée de diode laser à contre-réaction répartie (DFB) 1,55µm à couche active InGaAsP sur substrat InP pour des applications de télécommunication. Elle est basée sur la mesure de caractéristiques électriques et optiques analysées après l'application de contraintes de vieillissement combinant différents facteurs d’accélération. Une méthode de reconstruction statistique de distributions de durée de vie, basées sur les tirages de Monte-Carlo, a été mise en oeuvre pour palier à la faible population de composants et aux faibles variations paramétriques induites par les tests accélérés. Enfin, l'interaction composant-système est analysée par l'intermédiaire de simulations d'une liaison de télécommunication 4 canaux utilisant le multiplexage de longueurs d’onde (WDM) avec un débit 2,5 Gbits/s par canal. Ces simulations ont permis d'évaluer l'impact des dérives expérimentales sur les performances de ce type de liaison, en conditions opérationnelles, en prévision de futures architectures de réseaux métropolitains et locaux.< Réduire
Résumé en anglais
This work describes the development and the setting of a methodology to estimate longterm reliability of mature distributed feedback (DFB) 1,55µm laser diode with InGaAsP active layer on InP substrate for applications of ...Lire la suite >
This work describes the development and the setting of a methodology to estimate longterm reliability of mature distributed feedback (DFB) 1,55µm laser diode with InGaAsP active layer on InP substrate for applications of telecommunication. This methodology is based on the measurement of electric and optical characteristics analyzed after application of ageing combining various factors of acceleration. A statistical method of lifetime distribution rebuilding, based on Monte-Carlo random selection, was carried out in order to compensate for the weak population of components and the weak parametric variations induced by the accelerated tests. Lastly, the component-system interaction is analyzed via simulations of a 4 channels telecommunication link using the multiplexing wavelengths (WDM) with a 2,5 Gbits/s bit rate by channel. These simulations made it possible to evaluate the impact of experimental drifts on this kind of link performances, in operational conditions, in preparation for future architectures of local and metropolitan area networks< Réduire
Mots clés
Fiabilité des composants
Electronique
diode laser DFB
mécanismes de défaillances
méthodologie statistique
réseau de télécommunication optique
simulation système
Unités de recherche