PALLARO, Thomas; DUBOIS, Tristan; DE MATOS, Magali; CHANG, Christophe; LABAT, Nathalie; LAMBERT, Benoit; MALBERT, Nathalie; PALLARO, Thomas

doi:10.1016/j.microrel.2025.115772

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PALLARO, Thomas
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]

DUBOIS, Tristan

Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]

DE MATOS, Magali
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]

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Microelectronics Reliability. 2025-07, vol. 170, p. 115772

Résumé en anglais

This article focuses on the comprehensive evaluation of performance and robustness in microwave AlGaN/GaN HEMTs. The study investigates whether the degradation mechanisms observed during DC aging test align with those observed during RF aging test. A time-domain load-pull setup (1.8 GHz – 18 GHz) is utilized to measure key parameters during RF stresses and characterize the devices, highlighting key differences in degradation mechanisms between RF and DC aging tests. These findings shed light on the behavior of HEMTs when subjected to a RF signal, emphasizing the necessity of comprehensive analysis for ensuring device reliability in practical scenarios.< Réduire

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DC and RF aging test of AlGaN/GaN HEMT technology on SiC substrate

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