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DC and RF aging test of AlGaN/GaN HEMT technology on SiC substrate

dc.rights.licenseopenen_US
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorPALLARO, Thomas
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorDUBOIS, Tristan
IDREF: 139527613
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorDE MATOS, Magali
dc.contributor.authorCHANG, Christophe
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorLABAT, Nathalie
IDREF: 094637385
dc.contributor.authorLAMBERT, Benoit
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorMALBERT, Nathalie
dc.contributor.authorPALLARO, Thomas
dc.date.accessioned2025-09-22T10:24:03Z
dc.date.available2025-09-22T10:24:03Z
dc.date.issued2025-07
dc.identifier.issn0026-2714en_US
dc.identifier.urihttps://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/207652
dc.description.abstractEnThis article focuses on the comprehensive evaluation of performance and robustness in microwave AlGaN/GaN HEMTs. The study investigates whether the degradation mechanisms observed during DC aging test align with those observed during RF aging test. A time-domain load-pull setup (1.8 GHz – 18 GHz) is utilized to measure key parameters during RF stresses and characterize the devices, highlighting key differences in degradation mechanisms between RF and DC aging tests. These findings shed light on the behavior of HEMTs when subjected to a RF signal, emphasizing the necessity of comprehensive analysis for ensuring device reliability in practical scenarios.
dc.language.isoENen_US
dc.title.enDC and RF aging test of AlGaN/GaN HEMT technology on SiC substrate
dc.typeArticle de revueen_US
dc.identifier.doi10.1016/j.microrel.2025.115772en_US
dc.subject.halSciences de l'ingénieur [physics]en_US
bordeaux.journalMicroelectronics Reliabilityen_US
bordeaux.page115772en_US
bordeaux.volume170en_US
bordeaux.hal.laboratoriesIMS : Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système - UMR 5218en_US
bordeaux.institutionUniversité de Bordeauxen_US
bordeaux.institutionBordeaux INPen_US
bordeaux.institutionCNRSen_US
bordeaux.teamRELIABILITYen_US
bordeaux.teamCIRCUIT DESIGNen_US
bordeaux.peerReviewedouien_US
bordeaux.inpressnonen_US
bordeaux.import.sourcecrossref
hal.identifierhal-05272485
hal.version1
hal.date.transferred2025-09-22T10:24:05Z
hal.popularnonen_US
hal.audienceInternationaleen_US
hal.exporttrue
workflow.import.sourcecrossref
dc.rights.ccPas de Licence CCen_US
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