NGO, Thi Huong; COMYN, Rémi; CHENOT, Sébastien; BRAULT, Julien; NEMOZ, Maud; VENNÉGUÈS, Philippe; DAMILANO, Benjamin; VÉZIAN, Stéphane; FRAYSSINET, Eric; COZETTE, Flavien; DEFRANCE, Nicolas; LECOURT, François; LABAT, Nathalie; MAHER, Hassan; CORDIER, Yvon

doi:10.1016/j.jcrysgro.2022.126779

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Journal of Crystal Growth. 2022-09-01, vol. 593, p. 126779

Résumé en anglais

In the present study, the selective sublimation of the p-GaN cap layer of Al(Ga)N/GaN HEMTs is developed to replace the commonly used dry etching with no risk of damage in the barrier layer in order to fabricate enhanced mode transistors. Thanks to this approach, enhancement-mode transistors are fabricated with a threshold voltage between 0 V and +1.5 V depending on the barrier layer aluminum molar fraction and thickness. Furthermore, we show the benefit of the combination of selective sublimation with the regrowth of AlGaN to reduce access resistance in these transistors which can be co-integrated with depletion-mode devices fabricated in the same process in areas where p-GaN has been totally evaporated.< Réduire

Mots clés en anglais

A1. Selective sublimation

A3. Local area epitaxy

B1. Group III-nitrides

B3. High electron mobility transistors

URI

https://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/140583

DOI

http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126779

Project ANR

Co-intégration des transistors GaN à enrichissement et à déplétion pour les circuits de communication RF de la prochaine génération - ANR-16-CE24-0026
Réseau national sur GaN - ANR-11-LABX-0014

Unités de recherche

IMS : Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système - UMR 5218