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dc.contributor.advisorManeux, Cristell
dc.contributor.advisorLabat, Nathalie
dc.contributor.authorKONÉ, Gilles Amadou
dc.contributor.otherRiet, Muriel
dc.contributor.otherMaher, Hassan
dc.contributor.otherZimmer, Thomas
dc.contributor.otherGodin, Jean
dc.contributor.otherRinaldi, Niccolo
dc.date2011-12-20
dc.date.accessioned2020-12-14T21:13:59Z
dc.date.available2020-12-14T21:13:59Z
dc.identifier.urihttp://ori-oai.u-bordeaux1.fr/pdf/2011/KONE_GILLES_AMADOU_2011.pdf
dc.identifier.urihttps://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/22199
dc.identifier.nnt2011BOR14471
dc.description.abstractCes travaux de thèses présentent un protocole expérimental d’évaluation de la fiabilité des transistors bipolaire à double hétéro-jonction submicroniques sur substrat InP. Les mécanismes de défaillances observés ont été mis en évidence grâce à ce protocole qui présente trois étapes : activation, détection et localisation des mécanismes de défaillance. Les tests de vieillissement accéléré ont été réalisés sur les TBH de structure hexagonale avec une base en InGaAs ou en GaAsSb ainsi que les structures TLM. Grâce à l’analyse électrique via la modélisation compacte, nous établissons les premières hypothèses sur l’origine physique des mécanismes de dégradation. Pour les transistors avec une base InGaAs, par exemple, les mécanismes de défaillance mis en évidence sont localisés:- A la périphérie d’émetteur entrainant ainsi une augmentation du courant de base pour VBE<0,6 V pour les tests sous contrainte thermique ainsi que sous contraintes thermique et électrique.- A la jonction base-émetteur, provoquant l’augmentation du courant de base et de collecteur respectivement pour VBE>0,6 V et 0.2<VBE<0,8 V.- Au niveau du contact ohmique d’émetteur, entrainant une dégradation des courants pour VBE>0,8 V. Cette diminution du courant est plus visible sur le courant de collecteur.Ces hypothèses ont été validées avec l’analyse physique 2D avec le logiciel TCAD Sentaurus. Des signatures électriques similaires ont été observées dans la bibliographie par de plusieurs auteurs.
dc.description.abstractEnThis work presents the implementation of an experimental procedure to evaluate the failure mechanisms of submicron Heterojunction Bipolar Transistor on InP substrate. This procedure presents 3 steps: activation, detection and localization of the failure mechanisms. The accelerated aging tests have been used to active the failure mechanisms on hexagonal shape HBTs with InGaAs or GaAsSb base together with TLM. Due to the electrical analysis through the compact modelling, we established the first hypothesis about the origin of the failure mechanisms. For example, on InGaAs HBT, the failure mechanisms observed are located:- At the emitter sidewall. This mechanism leads to the increase of the base current for VBE<0.6 V- At the base-emitter junction leading to the increase of base and collector current for VBE>0,6 V and 0.2<VBE<0,8 V respectively.- And the ohmic contact layer leading to the collector current decrease for VBE>0.8 V.These hypotheses were validated by 2D physical simulation using TCAD Sentaurus. The same electrical signatures of the failure mechanisms are observed in literature.
dc.language.isofr
dc.subjectTHB
dc.subjectMécanisme de défaillance
dc.subjectSimulation physique 2D TCAD
dc.subjectVieillissement accéléré
dc.subjectModélisation compacte
dc.subjectInP
dc.subjectInGaAs
dc.subjectGaAsSb
dc.subject.enHBT
dc.subject.enFailure mechanisms
dc.subject.enCompact Modelling
dc.subject.enAccelerated Aging test
dc.subject.en2D simulation using TCAD
dc.subject.enInP
dc.subject.enInGaAs
dc.subject.enGaAsSb
dc.titleCaractérisation des effets thermiques et des mécanismes de défaillance spécifiques aux transistors bipolaires submicroniques sur substrat InP dédiés aux transmissions optiques Ethernet à 112 Gb/s
dc.typeThèses de doctorat
bordeaux.hal.laboratoriesThèses de l'Université de Bordeaux avant 2014*
bordeaux.hal.laboratoriesLaboratoire de l'intégration du matériau au système (Talence, Gironde)
bordeaux.institutionUniversité de Bordeaux
bordeaux.type.institutionBordeaux 1
bordeaux.thesis.disciplineElectronique
bordeaux.ecole.doctoraleÉcole doctorale des sciences physiques et de l’ingénieur (Talence, Gironde)
star.origin.linkhttps://www.theses.fr/2011BOR14471
dc.contributor.rapporteurPascal, Fabien
dc.contributor.rapporteurFantini, Fausto
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&amp;rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&amp;rft.title=Caract%C3%A9risation%20des%20effets%20thermiques%20et%20des%20m%C3%A9canismes%20de%20d%C3%A9faillance%20sp%C3%A9cifiques%20aux%20transistors%20bipolaires%20submicroniques&amp;rft.atitle=Caract%C3%A9risation%20des%20effets%20thermiques%20et%20des%20m%C3%A9canismes%20de%20d%C3%A9faillance%20sp%C3%A9cifiques%20aux%20transistors%20bipolaires%20submicronique&amp;rft.au=KON%C3%89,%20Gilles%20Amadou&amp;rft.genre=unknown


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