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A 728mV and 23.4ppm/°C voltage reference using parasitic diode biasing for temperature compensation in 28nm FD-SOI technology

GUILLOT, Maxime
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
DEVAL, Yann
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
LAPUYADE, Herve
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
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Idioma
EN
Communication dans un congrès
Este ítem está publicado en
International Conference on Analog VLSI Circuits (AVIC 2025), 2025-10-20, Matsue.
URI
https://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/207718
Centros de investigación