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dc.rights.licenseopenen_US
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorGUILLOT, Maxime
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorDEVAL, Yann
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorLAPUYADE, Herve
IDREF: 120393336
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorRIVET, Francois
IDREF: 135485576
dc.date.accessioned2025-10-06T08:24:12Z
dc.date.available2025-10-06T08:24:12Z
dc.date.conference2025-10-20
dc.identifier.urihttps://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/207718
dc.language.isoENen_US
dc.title.enA 728mV and 23.4ppm/°C voltage reference using parasitic diode biasing for temperature compensation in 28nm FD-SOI technology
dc.typeCommunication dans un congrèsen_US
dc.subject.halSciences de l'ingénieur [physics]en_US
bordeaux.hal.laboratoriesIMS : Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système - UMR 5218en_US
bordeaux.institutionUniversité de Bordeauxen_US
bordeaux.institutionBordeaux INPen_US
bordeaux.institutionCNRSen_US
bordeaux.conference.titleInternational Conference on Analog VLSI Circuits (AVIC 2025)en_US
bordeaux.countryjpen_US
bordeaux.teamCIRCUIT DESIGN-CASen_US
bordeaux.conference.cityMatsueen_US
hal.identifierhal-05298823
hal.version1
hal.date.transferred2025-10-06T08:24:14Z
hal.proceedingsouien_US
hal.conference.end2025-10-22
hal.popularnonen_US
hal.audienceInternationaleen_US
hal.exporttrue
dc.rights.ccPas de Licence CCen_US
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.au=GUILLOT,%20Maxime&DEVAL,%20Yann&LAPUYADE,%20Herve&RIVET,%20Francois&rft.genre=unknown


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