Recent Achievements in sub-10 nm DSA lithography for Line/Space patterning
GHARBI, A.
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
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TIRON, R.
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
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PAIN, L.
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Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Langue
en
Article de revue
Ce document a été publié dans
Journal of Photopolymer Science and Technology. 2017, vol. 30, p. 69-75
Technical Assoc of Photopolymers Japan
Résumé en anglais
Silicon-containing and modified PS-b-PMMA high-χ block copolymers materials were produced to achieve lamellar mesostructure as low as 14 nm intrinsic period (L$_0$) and ordered by graphoepitaxy or chemoepitaxy processes. ...Lire la suite >
Silicon-containing and modified PS-b-PMMA high-χ block copolymers materials were produced to achieve lamellar mesostructure as low as 14 nm intrinsic period (L$_0$) and ordered by graphoepitaxy or chemoepitaxy processes. Line Edge Roughness (LER) measurements of 2.5 nm (3 σ) can be extracted from CD-SEM pictures of poly [(1,1-dimethylsilacyclobutane)-b-styrene] after etching step. Materials integrations on a 300 mm track process are highlighted. In fingerprint, new BCPs LWR L/S values are 1.5/1.1 nm in comparison to a graphoepitaxy flow where the LWR L/S values are 2.0/1.1 nm. Alternative methods to create high-resolution guiding patterns for directed self-assembly of block co-polymers and the scale-up to obtain industrial BCPs meeting electronic requirement are also reported.< Réduire
Projet Européen
Pilot Line For Self Assembly Copolymer Delivery
Origine
Importé de halUnités de recherche