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Recent Achievements in sub-10 nm DSA lithography for Line/Space patterning

dc.rights.licenseopen
hal.structure.identifierGroupement de recherches de Lacq [GRL]
dc.contributor.authorNAVARRO, C.
hal.structure.identifierGroupement de recherches de Lacq [GRL]
dc.contributor.authorNICOLET, C.
hal.structure.identifierArkema [ARKEMA]
dc.contributor.authorARIURA, F.
hal.structure.identifierGroupement de recherches de Lacq [GRL]
dc.contributor.authorCHEVALIER, X.
hal.structure.identifierBREWER Sci Inc, Rolla, MO 65401 USA
dc.contributor.authorXU, K.
hal.structure.identifierBREWER Sci Inc, Rolla, MO 65401 USA
dc.contributor.authorHOCKEY, M. A.
hal.structure.identifierLaboratoire de Chimie des Polymères Organiques [LCPO]
dc.contributor.authorMUMTAZ, M.
hal.structure.identifierLaboratoire de Chimie des Polymères Organiques [LCPO]
dc.contributor.authorHADZIIOANNOU, Georges
hal.structure.identifierLaboratoire des technologies de la microélectronique [LTM ]
dc.contributor.authorLEGRAIN, A.
hal.structure.identifierLaboratoire des technologies de la microélectronique [LTM ]
dc.contributor.authorZELSMANN, M.
hal.structure.identifierCommissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
dc.contributor.authorGHARBI, A.
hal.structure.identifierCommissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
dc.contributor.authorTIRON, R.
hal.structure.identifierCommissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
dc.contributor.authorPAIN, L.
hal.structure.identifierInstituto de Microelectrònica de Barcelona [IMB-CNM]
dc.contributor.authorEVANGELIO, L.
hal.structure.identifierInstituto de Microelectrònica de Barcelona [IMB-CNM]
dc.contributor.authorFERNÁNDEZ-REGÚLEZ, M.
hal.structure.identifierInstituto de Microelectrònica de Barcelona [IMB-CNM]
dc.contributor.authorPÉREZ-MURANO, F.
hal.structure.identifierArkema
dc.contributor.authorCAYREFOURCQ, I.
dc.date.accessioned2020
dc.date.available2020
dc.date.issued2017
dc.identifier.issn0914-9244
dc.identifier.urihttps://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/20036
dc.description.abstractEnSilicon-containing and modified PS-b-PMMA high-χ block copolymers materials were produced to achieve lamellar mesostructure as low as 14 nm intrinsic period (L$_0$) and ordered by graphoepitaxy or chemoepitaxy processes. Line Edge Roughness (LER) measurements of 2.5 nm (3 σ) can be extracted from CD-SEM pictures of poly [(1,1-dimethylsilacyclobutane)-b-styrene] after etching step. Materials integrations on a 300 mm track process are highlighted. In fingerprint, new BCPs LWR L/S values are 1.5/1.1 nm in comparison to a graphoepitaxy flow where the LWR L/S values are 2.0/1.1 nm. Alternative methods to create high-resolution guiding patterns for directed self-assembly of block co-polymers and the scale-up to obtain industrial BCPs meeting electronic requirement are also reported.
dc.language.isoen
dc.publisherTechnical Assoc of Photopolymers Japan
dc.title.enRecent Achievements in sub-10 nm DSA lithography for Line/Space patterning
dc.typeArticle de revue
dc.identifier.doi10.2494/photopolymer.30.69
dc.subject.halPhysique [physics]
dc.description.sponsorshipEuropePilot Line For Self Assembly Copolymer Delivery
bordeaux.journalJournal of Photopolymer Science and Technology
bordeaux.page69-75
bordeaux.volume30
bordeaux.hal.laboratoriesLaboratoire de Chimie des Polymères Organiques (LCPO) - UMR 5629*
bordeaux.institutionBordeaux INP
bordeaux.institutionUniversité de Bordeaux
bordeaux.peerReviewedoui
hal.identifierhal-01825083
hal.version1
hal.origin.linkhttps://hal.archives-ouvertes.fr//hal-01825083v1
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.jtitle=Journal%20of%20Photopolymer%20Science%20and%20Technology&rft.date=2017&rft.volume=30&rft.spage=69-75&rft.epage=69-75&rft.eissn=0914-9244&rft.issn=0914-9244&rft.au=NAVARRO,%20C.&NICOLET,%20C.&ARIURA,%20F.&CHEVALIER,%20X.&XU,%20K.&rft.genre=article


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