KUSIAK, Andrzej; CHASSAIN, Clément; CANSECO, Alejandro Mateos; GHOSH, Kanka; CYRILLE, Marie-Claire; SERRA, Anna Lisa; NAVARRO, Gabriele; BERNARD, Mathieu; TRAN, Nguyet-Phuong; BATTAGLIA, Jean-Luc

doi:10.1002/pssr.202100507

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KUSIAK, Andrzej
Institut de Mécanique et d'Ingénierie [I2M]

CHASSAIN, Clément
Institut de Mécanique et d'Ingénierie [I2M]

CANSECO, Alejandro Mateos
Institut de Mécanique et d'Ingénierie [I2M]

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physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters. 2022-01-08, vol. 16, n° 4

Résumé en anglais

This article reports on the thermal characterization of Ge-rich Ge2Sb2Te5 films and Ge2Sb2Te5/Ge-rich Ge2Sb2Te5 multilayers designed for high-temperature applications in the field of phase-change memory. The thermal conductivities of such materials and the thermal boundary resistance with the Si3N4 dielectric material are characterized by two different photothermal techniques. The phase change in Ge-rich Ge2Sb2Te5 is found to occur at a temperature higher than that of the Ge2Sb2Te5 alloy. The Ge2Sb2Te5/Ge rich Ge2Sb2Te5 multilayer has been observed to feature two phase changes corresponding to Ge-rich Ge2Sb2Te5 and Ge2Sb2Te5. Finally, it is estimated that the thermal resistance of the interface separating Ge-rich Ge2Sb2Te5 and Ge2Sb2Te5 nanolayers constitutes the multilayer structure and its contribution has been realized to be significant in enhancing the thermal resistance of the multilayer structure.< Réduire

Mots clés en anglais

Chalcogenide alloys

Multilayers

Phase-change materials

Photothermal radiometry

Thermal properties

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Temperature-Dependent Thermal Conductivity and Interfacial Resistance of Ge-Rich Ge2Sb2Te5 Films and Multilayers

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