DAVID, T.; ARSCOTT, S.; MUNIER, J.M.; DECOOPMAN, Thibaut; AKALIN, Tahsin; MOUNAIX, Patrick; MÉLIQUE, Xavier; VANBÉSIEN, Olivier; BEAUDIN, Gérard; LIPPENS, Didier

doi:10.1109/THZ.2002.1037604

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DAVID, T.
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

ARSCOTT, S.
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

MUNIER, J.M.
LERMA Cergy [LERMA]

Langue

Communication dans un congrès

Ce document a été publié dans

Proceedings of the 10th IEEE International Conference on Terahertz Electronics, THz 2002, Proceedings of the 10th IEEE International Conference on Terahertz Electronics, THz 2002, 2002-09-10, Cambridge. 2002p. 113-116

IEEE, Piscataway, NJ, USA

Résumé en anglais

Fully integrated monolithic circuits incorporating InP-based heterostructure barrier varactor (HBV) frequency multipliers have been fabricated via epitaxial lift-off and transfer-substrate techniques onto a quartz substrate. We have obtained a maximum output power of 6 mW at 288 GHz corresponding to an overall efficiency of 6%. In addition we have observed a 45 GHz 3 dB bandwidth centered around 300 GHz for a constant input power of 70 mW. We also report on the design of a multiplier block in a fin line technology making use of smoothly corrugated tapered sections for mode matching and filtering< Réduire

Mots clés en anglais

Substrates

Frequency

Circuits

Diodes

Indium gallium arsenide

Varactors

Bandwidth

Matched filters

Filtering

Millimeter wave devices

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High performance HBV multipliers monolithically integrated into a host quartz substrate

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Résumé en anglais

Mots clés en anglais

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