High performance HBV multipliers monolithically integrated into a host quartz substrate
DECOOPMAN, Thibaut
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
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AKALIN, Tahsin
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
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MÉLIQUE, Xavier
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
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VANBÉSIEN, Olivier
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LIPPENS, Didier
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< Reduce
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Language
en
Communication dans un congrès
This item was published in
Proceedings of the 10th IEEE International Conference on Terahertz Electronics, THz 2002, Proceedings of the 10th IEEE International Conference on Terahertz Electronics, THz 2002, 2002-09-10, Cambridge. 2002p. 113-116
IEEE, Piscataway, NJ, USA
English Abstract
Fully integrated monolithic circuits incorporating InP-based heterostructure barrier varactor (HBV) frequency multipliers have been fabricated via epitaxial lift-off and transfer-substrate techniques onto a quartz substrate. ...Read more >
Fully integrated monolithic circuits incorporating InP-based heterostructure barrier varactor (HBV) frequency multipliers have been fabricated via epitaxial lift-off and transfer-substrate techniques onto a quartz substrate. We have obtained a maximum output power of 6 mW at 288 GHz corresponding to an overall efficiency of 6%. In addition we have observed a 45 GHz 3 dB bandwidth centered around 300 GHz for a constant input power of 70 mW. We also report on the design of a multiplier block in a fin line technology making use of smoothly corrugated tapered sections for mode matching and filteringRead less <
English Keywords
Substrates
Frequency
Circuits
Diodes
Indium gallium arsenide
Varactors
Bandwidth
Matched filters
Filtering
Millimeter wave devices
Origin
Hal imported