Contribution à la modélisation analytique tridimensionnelle de l'auto-échauffement dans les transistors bipolaires à hétérojonction de type Si/SiGe
dc.contributor.author | SULIMA, Pierre-Yvan | |
dc.date | 2005-12-13 | |
dc.date.accessioned | 2021-01-13T14:04:37Z | |
dc.date.available | 2021-01-13T14:04:37Z | |
dc.identifier.uri | https://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/25721 | |
dc.description.abstract | Le travail présenté dans ce document propose une contribution à la modélisation analytique tridimensionnelle de l'auto-échauffement dans les transistors bipolaires à hétérojonction de type Si/SiGe. Après avoir présenté le contexte bibliographique, nous avons mis au point un modèle analytique du comportement thermique transitoire d'un TBH SiGe à l'échelle macroscopique. Ce modèle utilise la méthode des quadripôles thermiques et repose sur les transformées intégrales du temps et de l'espace. Un autre intérêt de ce modèle est l'identification du paramètre mal connu que représente la conductivité thermique de la couche composite de passivation. Nous avons, également, optimisé une méthode expérimentale transitoire permettant de mesurer des paramètres de résistance thermiques et de capacité thermique. Cette étape permet de valider le modèle macroscopique et fournit ainsi un outil de caractérisation thermique des TBH SiGe. | |
dc.description.abstractEn | The work presented in this document proposes a contribution to the three-dimensional analytical modelling of the self -heating in the bipolar transistors with heterojunction of the Si/SiGe type. In a first time the bibliographical context is presented. Then, an analytical model of the transitory thermal behaviour of a TBH SiGe on a macroscopic scale is developed. This model uses the method of the thermal quadruples and rests on the integral transforms of time and space. Another interest of this model is the identification of the badly known parameter which the thermal conductivity of the composite layer of back-end represents. We, also, optimized a transitory experimental method allowing measuring thermal heat capacity and strength parameters. This step makes it possible to validate the macroscopic model and thus provides a thermal tool for characterization of the TBH SiGe. | |
dc.format | application/pdf | |
dc.language | fr | |
dc.rights | free | |
dc.subject | Electronique | |
dc.subject | Transistor bipolaire à hétérojonction SiGe | |
dc.subject | Auto-échauffement | |
dc.subject | Méthode expérimentale | |
dc.subject | Modèle analytique | |
dc.subject | Modèle compact | |
dc.title | Contribution à la modélisation analytique tridimensionnelle de l'auto-échauffement dans les transistors bipolaires à hétérojonction de type Si/SiGe | |
dc.type | Thèses de doctorat | |
bordeaux.hal.laboratories | Thèses Bordeaux 1 Ori-Oai | * |
bordeaux.institution | Université de Bordeaux | |
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