Contribution à la modélisation analytique tridimensionnelle de l'auto-échauffement dans les transistors bipolaires à hétérojonction de type Si/SiGe

Abstract

Le travail présenté dans ce document propose une contribution à la modélisation analytique tridimensionnelle de l'auto-échauffement dans les transistors bipolaires à hétérojonction de type Si/SiGe. Après avoir présenté le contexte bibliographique, nous avons mis au point un modèle analytique du comportement thermique transitoire d'un TBH SiGe à l'échelle macroscopique. Ce modèle utilise la méthode des quadripôles thermiques et repose sur les transformées intégrales du temps et de l'espace. Un autre intérêt de ce modèle est l'identification du paramètre mal connu que représente la conductivité thermique de la couche composite de passivation. Nous avons, également, optimisé une méthode expérimentale transitoire permettant de mesurer des paramètres de résistance thermiques et de capacité thermique. Cette étape permet de valider le modèle macroscopique et fournit ainsi un outil de caractérisation thermique des TBH SiGe.