Show simple item record

dc.contributor.authorMNIF, Hassène
dc.date2004-01-26
dc.date.accessioned2021-01-13T14:04:25Z
dc.date.available2021-01-13T14:04:25Z
dc.identifier.urihttps://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/25646
dc.description.abstractLa prise en compte de l’effet de la température et en particulier de l’auto-échauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de manière précise des caractéristiques électriques des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe. L’utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d’être exposées à différentes températures et fonctionnant pour des fortes densités de courant accentuent énormément ces effets. Par conséquent, une modélisation précise de ces phénomènes est indispensable. Un modèle dynamique décrivant l’auto-échauffement, caractérisé par une élévation de la température de jonction, a été développé. Une équivalence électrique de ce modèle analytique a été réalisée afin qu’il soit compatible avec des modèles électriques de type SPICE. Un banc de test spécifique pour évaluer le nouveau modèle et extraire ses paramètres a été mis en oeuvre. Dans une deuxième partie, la dépendance en température des différents paramètres qui peuvent intervenir dans un modèle électrique compact et en particulier dans le modèle HICUM a été étudiée.
dc.description.abstractEnThe consideration of the temperature and in particular of the self-heating effect in Si/SiGe heterojunction bipolar transistors is a fundamental aspect to predict in a precise way these electric characteristics. The use of these components in microwaves applications exposed to various temperatures and strong densities of current, accentuates enormously these effects. Consequently, a precise modelling of these phenomena is necessary. A dynamic model describing the self-heating, characterized by a rise in the junction temperature, is developed. An electric equivalence close to the analytical model, compatible with SPICE electric models type, is established. A specific test bench is used in order to evaluate the new model and to extract its parameters. In a second part, the temperature dependence of the various compact model parameters is studied, in particular in the HICUM model.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagefr
dc.rightsfree
dc.subjectElectronique
dc.subjectSiGe
dc.subjecttransistor bipolaire à hétérojonction
dc.subjectauto-échauffement
dc.subjectfonctionnement en température
dc.subjectmodélisation compacte
dc.titleContribution à la modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe en température
dc.typeThèses de doctorat
bordeaux.hal.laboratoriesThèses Bordeaux 1 Ori-Oai*
bordeaux.institutionUniversité de Bordeaux
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.title=Contribution%20%C3%A0%20la%20mod%C3%A9lisation%20des%20transistors%20bipolaires%20%C3%A0%20h%C3%A9t%C3%A9rojonction%20Si/SiGe%20en%20temp%C3%A9rature&rft.atitle=Contribution%20%C3%A0%20la%20mod%C3%A9lisation%20des%20transistors%20bipolaires%20%C3%A0%20h%C3%A9t%C3%A9rojonction%20Si/SiGe%20en%20temp%C3%A9rature&rft.au=MNIF,%20Hass%C3%A8ne&rft.genre=unknown


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record