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dc.contributor.advisorLewis, Dean
dc.contributor.authorSIENKIEWICZ, Magdalena
dc.contributor.otherCrépel, Olivier
dc.contributor.otherFiriti, Abdellatif
dc.contributor.otherPerdu, Philippe
dc.contributor.otherPouget, Vincent
dc.date2010-05-28
dc.date.accessioned2020-12-14T21:14:14Z
dc.date.available2020-12-14T21:14:14Z
dc.identifier.urihttp://ori-oai.u-bordeaux1.fr/pdf/2010/SIENKIEWICZ_MAGDALENA_2010.pdf
dc.identifier.urihttps://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/22246
dc.identifier.nnt2010BOR14028
dc.description.abstractCette thèse s’inscrit dans le domaine de la localisation de défauts de type «soft» dans les Circuits Intégrés (CI) analogiques et mixtes à l’aide des techniques dynamiques de stimulation laser en faible perturbation. Les résultats obtenus à l’aide de ces techniques sont très complexes à analyser dans le cas des CI analogiques et mixtes. Ce travail porte ainsi particulièrement sur le développement d’une méthodologie facilitant l’analyse des cartographies laser. Cette méthodologie est basée sur la comparaison de résultats de simulations électriques de l’interaction faisceau laser-CI avec des résultats expérimentaux (cartographies laser). L’influence des phénomènes thermique et photoélectrique sur les CI (niveau transistor) a été modélisée et simulée. La méthodologie a été validée tout d’abord sur des structures de tests simples avant d’être utilisée sur des CI complexes que l’on trouve dans le commerce.
dc.description.abstractEnThis thesis deals with Soft failure localization in the analog and mixed mode Integrated Circuits (ICs) by means of Dynamic Laser Stimulation techniques (DLS). The results obtained using these techniques are very complex to analyze in the case of analog and mixed ICs. In this work we develop a methodology which facilitates the analysis of the laser mapping. This methodology consists on combining the experimental results (laser mapping) with the electrical simulations of laser stimulation impact on the device. The influence of photoelectric and thermal phenomena on the IC (transistor level) has been modeled and simulated. The methodology has been validated primarily on test structures before being used on complex Freescale ICs existing in commerce.
dc.language.isofr
dc.subjectAnalyse de défaillance
dc.subjectCI analogique et mixte
dc.subjectTechniques xVM
dc.subjectLocalisation de défauts « soft »
dc.subjectStimulation par faisceau laser continu en faible perturbation
dc.subjectModélisation et simulations électriques de l’interaction faisceau laser-CI
dc.subjectPhénomène photo-thermique et photoélectrique
dc.subject.enFailure analysis, Soft defect localization, analog and mixed mode ICs, laser stimulation, xVM techniques, modeling and simulations of interaction laser beam-IC, photoelectric and thermal phenomena
dc.titleMéthodologie de localisation des défauts soft dans les circuits intégrés mixtes et analogiques par stimulation par faisceau laser : analyse de résultats des techniques dynamiques paramétriques
dc.typeThèses de doctorat
dc.contributor.jurypresidentLabat, Nathalie
bordeaux.hal.laboratoriesThèses de l'Université de Bordeaux avant 2014*
bordeaux.hal.laboratoriesLaboratoire de l'intégration du matériau au système (Talence, Gironde)
bordeaux.institutionUniversité de Bordeaux
bordeaux.type.institutionBordeaux 1
bordeaux.thesis.disciplineElectronique
bordeaux.ecole.doctoraleÉcole doctorale des sciences physiques et de l’ingénieur (Talence, Gironde)
star.origin.linkhttps://www.theses.fr/2010BOR14028
dc.contributor.rapporteurBafleur, Marise
dc.contributor.rapporteurDescamps, Philippe
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.title=M%C3%A9thodologie%20de%20localisation%20des%20d%C3%A9fauts%20soft%20dans%20les%20circuits%20int%C3%A9gr%C3%A9s%20mixtes%20et%20analogiques%20par%20stimulation%20par%20fai&rft.atitle=M%C3%A9thodologie%20de%20localisation%20des%20d%C3%A9fauts%20soft%20dans%20les%20circuits%20int%C3%A9gr%C3%A9s%20mixtes%20et%20analogiques%20par%20stimulation%20par%20fa&rft.au=SIENKIEWICZ,%20Magdalena&rft.genre=unknown


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