Un amplificateur de puissance large bande à PAE contrôlée en technologie CMOS 28 nm FDSOI pour des applications 5G
QUEHEILLE, Remi
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Institut Polytechnique de Bordeaux [Bordeaux INP]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Institut Polytechnique de Bordeaux [Bordeaux INP]
KERHERVE, Eric
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Institut Polytechnique de Bordeaux [Bordeaux INP]
Leer más >
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Institut Polytechnique de Bordeaux [Bordeaux INP]
QUEHEILLE, Remi
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Institut Polytechnique de Bordeaux [Bordeaux INP]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Institut Polytechnique de Bordeaux [Bordeaux INP]
KERHERVE, Eric
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Institut Polytechnique de Bordeaux [Bordeaux INP]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Institut Polytechnique de Bordeaux [Bordeaux INP]
RIVET, Francois
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Institut Polytechnique de Bordeaux [Bordeaux INP]
< Leer menos
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Institut Polytechnique de Bordeaux [Bordeaux INP]
Idioma
FR
Communication dans un congrès
Este ítem está publicado en
23ème Journées Nationales Microondes (JNM 2024), 2024-06-04, Antibes Juan Les Pins.
Centros de investigación