El sistema se apagará debido a tareas habituales de mantenimiento. Por favor, guarde su trabajo y desconéctese.
Thumbnail
Metadatos
Mostrar el registro completo del ítem
Licencia de uso del documento

Temperature Compensation in FD-SOI Transistors: A Novel Approach with 27% Performance Improvement via Parasitic Diode Biasing

GUILLOT, Maxime
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
DEVAL, Yann
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
LAPUYADE, Herve
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Leer más >
Idioma
EN
Communication dans un congrès
Este ítem está publicado en
31st IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS), 2024-11-18, Nancy. 2024-11-18
URI
https://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/203349
Centros de investigación