MHAIRA, Wafaa; AGNAOU, Abdelmajid; ESSALIM, Rachida; MAUVY, Fabrice; ZAMAMA, Mohamed; ALGA, Maati; AMMAR, Abdelaziz

doi:10.1016/j.ceramint.2023.09.264

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MHAIRA, Wafaa
Laboratoire des Sciences des Matériaux et Optimisation des Procédés [SCIMATOP]

AGNAOU, Abdelmajid
Laboratoire des Sciences des Matériaux et Optimisation des Procédés [SCIMATOP]

ESSALIM, Rachida
Laboratoire des Sciences des Matériaux et Optimisation des Procédés [SCIMATOP]

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Ceramics International. 2023, vol. 49, n° 23, Part B, p. 39205-39213

Elsevier

Résumé en anglais

The partial substitution of copper by antimony in Bi4V1.8Cu0.2O10.7 compounds leds to the solid solution Bi4V1.8Cu0.2-xSbxO10.7+3x/2 (0.00 ≤ x ≤ 0.20). X-ray diffraction and thermal analysis showed that for all compositions, the obtained phases are isotype to the tetragonal γ or γ′ form of Bi4V2O11. The effect of Sb5+ doping on electrical conductivity was studied using electrochemical impedance spectroscopy in the temperature range 200–700 °C. The changes in slope observed in the Arrhenius plots correspond to the structural transitions that occur within the material. The band gap was determined by DRS spectra, BiCuSbVOx materials have a very low gap band (1.77–1.80 eV) compared to parent phase Bi4V2O11 and the most of BIMEVOX semiconductor materials. The band located around 860 cm−1 in Raman spectroscopy is attributed to V–O bond and more especially to V–O2 bond.< Réduire

Mots clés en anglais

BiCuSbVOx

XRD

FT-IR

Optical properties

Ionic conductivity

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High-conducting Bi4V1.8Cu0.2-xSbxO10.7+3x/2 ceramics: Structural, microstructural, electrical and optical properties

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