VÉLU, Gabriel; HOUZET, Gregory; BURGNIES, Ludovic; CARRU, Jean-Claude; MARTEAU, Aurélien; BLARY, Karine; LIPPENS, Didier; MOUNAIX, Patrick; TONDUSSON, Marc; NGUEMA AGNANDJI, Edwin

doi:10.1080/00150190701367036

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VÉLU, Gabriel
Laboratoire d'Etude des Matériaux et des Composants pour l'Electronique [LEMCEL]

HOUZET, Gregory
Laboratoire d'Etude des Matériaux et des Composants pour l'Electronique [LEMCEL]

BURGNIES, Ludovic
Laboratoire d'Etude des Matériaux et des Composants pour l'Electronique [LEMCEL]

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Article de revue

Ce document a été publié dans

Ferroelectrics. 2007, vol. 353, p. 29-37

Taylor & Francis: STM, Behavioural Science and Public Health Titles

Résumé en anglais

BST thin films have been deposited with a sol-gel technique on 4cm 2 sapphire. Electrical characterizations have been performed in a very large frequency range. From 1 kHz to 500 GHz, the dielectric constant ϵ r is around 300 with quasi no frequency dispersion. In the 500 GHz to 1 THz range, the existence of a Debye relaxation mode is postulated. Varactors made with these BST films show a decrease of their capacitance by a factor of about 1.7 under 40 volts of bias. Phaseshifters have been realized with these varactors: a bias of 40 volts at 30 GHz permits to obtain a phaseshift of 360 degrees.< Réduire

Mots clés en anglais

Thin films

BaSrTiO3

electrical properties

terahertz

microwave

phaseshifters

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Electrical characterizations of paraelectric BST thin films up to 1 THz : realization of microwave phase shifters

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