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hal.structure.identifierInstitut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux [ICMCB]
dc.contributor.authorREYMOND, Vincent
hal.structure.identifierInstitut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux [ICMCB]
dc.contributor.authorMICHAU, Dominique
hal.structure.identifierInstitut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux [ICMCB]
dc.contributor.authorPAYAN, Sandrine
hal.structure.identifierInstitut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux [ICMCB]
dc.contributor.authorMAGLIONE, Mario
dc.date.issued2004
dc.identifier.issn0272-8842
dc.description.abstractEnThe efficient use of ferroelectric thin films in rF agile devices faces several limits. One of them is the dielectric losses which are usually above 1%, i.e. above the threshold as set by the electronic industry...
dc.language.isoen
dc.publisherElsevier
dc.title.enImproving the dielectric losses of (Ba,Sr)TiO3 thin films using a SiO2 buffer layer
dc.typeArticle de revue
dc.identifier.doi10.1016/j.ceramint.2003.12.024
dc.subject.halChimie/Matériaux
bordeaux.journalCeramics International
bordeaux.page1085-1087
bordeaux.volume30
bordeaux.issue7
bordeaux.peerReviewedoui
hal.identifierhal-00150332
hal.version1
hal.popularnon
hal.audienceInternationale
dc.subject.esDielectric properties
dc.subject.esSilicon oxide
dc.subject.es(Ba
dc.subject.esSr)TiO3
hal.origin.linkhttps://hal.archives-ouvertes.fr//hal-00150332v1
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.jtitle=Ceramics%20International&rft.date=2004&rft.volume=30&rft.issue=7&rft.spage=1085-1087&rft.epage=1085-1087&rft.eissn=0272-8842&rft.issn=0272-8842&rft.au=REYMOND,%20Vincent&MICHAU,%20Dominique&PAYAN,%20Sandrine&MAGLIONE,%20Mario&rft.genre=article


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