Une nouvelle approche dans la compréhension de l'interaction SiC/Ti

GORSSE, Stéphane; LE PETITCORPS, Yann; GARRABOS, Yves

doi:10.1051/jp4:1999432

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GORSSE, Stéphane
Institut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux [ICMCB]

LE PETITCORPS, Yann
Institut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux [ICMCB]

GARRABOS, Yves
Institut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux [ICMCB]

Idioma

Article de revue

Este ítem está publicado en

Journal de Physique IV Proceedings. 1999-04, vol. 09, n° PR4, p. Pr4-241-Pr4-248

EDP Sciences

Resumen en inglés

La morphologie de la zone de réaction du système SiC/Ti a été analysée par microscopie électronique à balayage. La composition des différents constituants a été déterminée par spectroscopie d'électrons Auger et par microsonde électronique. Les analyses montrent que la zone de réaction est constituée des trois composés Ti5Si3Cx, TiCx et Ti3Si. Le diagramme de phases du système Ti - Si - C a été complété à 900°C. Le suivi de l'évolution morphologique de la zone de réaction interfaciale en fonction du temps de recuit de diffusion à 900°C, a permis de déterminer la loi de croissance des particules de TiCx et de préciser les mécanismes en jeu dans l'interaction SiC/Ti.< Leer menos

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