COQUILLAS, B.; KERHERVE, E.; REDOIS, S.; AMIAUD, A.-C.; ROUSSEL, L.; LOUIS, B.; ITCIA, E.; MERLET, T.

doi:10.23919/eumic50153.2022.9784063

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COQUILLAS, B.
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]

KERHERVE, E.
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]

REDOIS, S.

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Communication dans un congrès avec actes

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EuMIC 2021 - 2021 16th European Microwave Integrated Circuits Conference, 16th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2021, Londres. 2022-04-03

IEEE

Résumé en anglais

This paper presents a compact Ku-Band SiGe cascode power amplifier (PA) with a saturated output power (Psat) higher than 27dBm up to 90°C and a highly robust power combination to the Standing Wave Ratio (SWR). Improved transistor and twisted coupler layout techniques are combined in a balanced architecture. As a proof of concept, the PA was implemented with a 0.13-µm SiGe BiCMOS technology. The measured performances at 18GHz show a Psat of 27.4dBm and 27.1dBm and a peak-PAE of 25.8% and 24.5% at 30°C and 90°C, respectively. With a 2:1 SWR the PAE and Psat drop less than 7.2% and 1.5dB, respectively.< Réduire

Mots clés en anglais

defense industry

design methodology

directional coupler

power amplifier

temperature measurement

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A 27dBm Ku-Band SiGe Power Amplifier Working up to 90°C with High Robustness to the 2:1 SWR

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