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Contribution à la modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe en température
dc.contributor.author | MNIF, Hassène | |
dc.date | 2004-01-26 | |
dc.date.accessioned | 2021-01-13T14:04:25Z | |
dc.date.available | 2021-01-13T14:04:25Z | |
dc.identifier.uri | https://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/25646 | |
dc.description.abstract | La prise en compte de l’effet de la température et en particulier de l’auto-échauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de manière précise des caractéristiques électriques des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe. L’utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d’être exposées à différentes températures et fonctionnant pour des fortes densités de courant accentuent énormément ces effets. Par conséquent, une modélisation précise de ces phénomènes est indispensable. Un modèle dynamique décrivant l’auto-échauffement, caractérisé par une élévation de la température de jonction, a été développé. Une équivalence électrique de ce modèle analytique a été réalisée afin qu’il soit compatible avec des modèles électriques de type SPICE. Un banc de test spécifique pour évaluer le nouveau modèle et extraire ses paramètres a été mis en oeuvre. Dans une deuxième partie, la dépendance en température des différents paramètres qui peuvent intervenir dans un modèle électrique compact et en particulier dans le modèle HICUM a été étudiée. | |
dc.description.abstractEn | The consideration of the temperature and in particular of the self-heating effect in Si/SiGe heterojunction bipolar transistors is a fundamental aspect to predict in a precise way these electric characteristics. The use of these components in microwaves applications exposed to various temperatures and strong densities of current, accentuates enormously these effects. Consequently, a precise modelling of these phenomena is necessary. A dynamic model describing the self-heating, characterized by a rise in the junction temperature, is developed. An electric equivalence close to the analytical model, compatible with SPICE electric models type, is established. A specific test bench is used in order to evaluate the new model and to extract its parameters. In a second part, the temperature dependence of the various compact model parameters is studied, in particular in the HICUM model. | |
dc.format | application/pdf | |
dc.language | fr | |
dc.rights | free | |
dc.subject | Electronique | |
dc.subject | SiGe | |
dc.subject | transistor bipolaire à hétérojonction | |
dc.subject | auto-échauffement | |
dc.subject | fonctionnement en température | |
dc.subject | modélisation compacte | |
dc.title | Contribution à la modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe en température | |
dc.type | Thèses de doctorat | |
bordeaux.hal.laboratories | Thèses Bordeaux 1 Ori-Oai | * |
bordeaux.institution | Université de Bordeaux | |
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