Conception d'oscillateurs contrôlés en tension dansla gamme 2 GHz - 10 GHz, intégrés sur silicium et analyse des mécanisme à l'origine du bruit de phase

Abstract

Le travail réalisé durant ces trois ans peut être divisé en deux parties. La première est pratique avec la réalisation de deux circuits. Le premier circuit, destiné à un fonctionnement autour de 2.45GHz, a été réalisé en technologie CMOS 0.13µm alimenté sous 1.2V. Les problèmes de conception liés à la faible tension d'alimentation, ont pu être partiellement résolus par l'invention d'un système (breveté) d'égalisation du Kvco. Le second circuit destiné à la téléphonie mobile et réalisé en technologie BiCMOS 0.25µm sous 2.5V a du faire face a un compromis entre la haute fréquence de fonctionnement et l'obtention de performances en bruit de phase compatibles avec les standards. La seconde partie est théorique et propose une approche simple permettant de calculer la conversion fréquentielle d'un bruit en bruit de phase afin d'anticiper et contrôler des résultats de simulation.