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dc.contributor.authorMIRA, Julien
dc.date2004-11-19
dc.date.accessioned2021-01-13T14:04:25Z
dc.date.available2021-01-13T14:04:25Z
dc.identifier.urihttps://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/25645
dc.description.abstractLe travail réalisé durant ces trois ans peut être divisé en deux parties. La première est pratique avec la réalisation de deux circuits. Le premier circuit, destiné à un fonctionnement autour de 2.45GHz, a été réalisé en technologie CMOS 0.13µm alimenté sous 1.2V. Les problèmes de conception liés à la faible tension d'alimentation, ont pu être partiellement résolus par l'invention d'un système (breveté) d'égalisation du Kvco. Le second circuit destiné à la téléphonie mobile et réalisé en technologie BiCMOS 0.25µm sous 2.5V a du faire face a un compromis entre la haute fréquence de fonctionnement et l'obtention de performances en bruit de phase compatibles avec les standards. La seconde partie est théorique et propose une approche simple permettant de calculer la conversion fréquentielle d'un bruit en bruit de phase afin d'anticiper et contrôler des résultats de simulation.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagefr
dc.rightsfree
dc.subjectElectronique
dc.subjectCMOS
dc.subjectKvco
dc.subjecttéléphonie mobile
dc.subjectBiCMOS
dc.subjectbruit de phase
dc.titleConception d'oscillateurs contrôlés en tension dansla gamme 2 GHz - 10 GHz, intégrés sur silicium et analyse des mécanisme à l'origine du bruit de phase
dc.typeThèses de doctorat
bordeaux.hal.laboratoriesThèses Bordeaux 1 Ori-Oai*
bordeaux.institutionUniversité de Bordeaux
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.title=Conception%20d'oscillateurs%20contr%C3%B4l%C3%A9s%20en%20tension%20dansla%20gamme%202%20GHz%20-%2010%20GHz,%20int%C3%A9gr%C3%A9s%20sur%20silicium%20et%20analyse%20des%20m&rft.atitle=Conception%20d'oscillateurs%20contr%C3%B4l%C3%A9s%20en%20tension%20dansla%20gamme%202%20GHz%20-%2010%20GHz,%20int%C3%A9gr%C3%A9s%20sur%20silicium%20et%20analyse%20des%20&rft.au=MIRA,%20Julien&rft.genre=unknown


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