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dc.contributor.advisorZimmer, Thomas
dc.contributor.advisorManeux, Cristell
dc.contributor.advisorMasmoudi, Nouri
dc.contributor.authorNAJARI, Montassar
dc.contributor.otherSamet, Mounir
dc.date2010-12-10
dc.date.accessioned2020-12-14T21:14:16Z
dc.date.available2020-12-14T21:14:16Z
dc.identifier.urihttp://ori-oai.u-bordeaux1.fr/pdf/2010/NAJARI_MONTASSAR_2010.pdf
dc.identifier.urihttps://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/22252
dc.identifier.nnt2010BOR14186
dc.description.abstractAfin de permettre le développement de modèles manipulables par les concepteurs, il est nécessaire de pouvoir comprendre le fonctionnement des nanotubes, en particulier le transport des électrons et leurs propriétés électroniques. C’est dans ce contexte général que cette thèse s’intègre. Le travail a été mené sur quatre plans : développement de modèles permettant la description des phénomènes physiques importants au niveau des dispositifs, expertise sur le fonctionnement des nano-composants permettant de dégager les ordres de grandeurs pertinents pour les dispositifs, les contraintes, la pertinence de quelques procédés de fabrication (reproductibilité, taux de défauts, collection de caractéristiques mesurées et développement éventuel d'expériences spécifiques, expertise et conception des circuits innovatifs pour l’électronique numérique avec ces nano-composants.
dc.description.abstractEnThis PhD work presents a computationally efficient physics-based compact model for the Schottky barrier (SB) carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET). This compact model includes a new analytical formulation of the channel charge, taking into account the influence of the source and drain SBs. Compact model simulation results (I–V characteristic and channel density of charge) as well as Monte Carlo simulation results, which are provided by a recent work, will be given and compared to each other and also to experimental data to validate the used approximations. Good agreement is observed over a large range of gate and drain biases. Furthermore, a scaling study is presented to examine the impact of technological parameters on the device figure of merit. Then, for the assessment of the SB on circuit performances, traditional logical circuits are designed using the SB-CNTFET compact model, and results are compared with a conventional CNTFET with zero-SB height. Finally, exploiting the particular properties of SB-CNTFETs, a three-valued static memory that is suitable for high density integration is presented.
dc.language.isofr
dc.subjectModélisation compacte
dc.subjectTransistor Schottky à nanotube de carbone
dc.subjectSimulation circuit
dc.subjectCellule mémoire SRAM
dc.subjectEffet tunnel
dc.subjectWkb
dc.subject.enCompact modelling
dc.subject.enSchottky barrier carbon based transistor
dc.subject.enSpice simulation
dc.subject.enStatic memory cell
dc.subject.enTunnelling
dc.subject.enWkb
dc.titleModélisation compacte des transistors à nanotube de carbone à contacts Schottky et application aux circuits numériques
dc.typeThèses de doctorat
dc.contributor.jurypresidentKamoun, Lotfid
bordeaux.hal.laboratoriesThèses de l'Université de Bordeaux avant 2014*
bordeaux.hal.laboratoriesLaboratoire de l'intégration du matériau au système (Talence, Gironde)
bordeaux.institutionUniversité de Bordeaux
bordeaux.type.institutionBordeaux 1
bordeaux.type.institutionUniversité de Sfax (Tunisie)
bordeaux.thesis.disciplineElectronique
bordeaux.ecole.doctoraleÉcole doctorale des sciences physiques et de l’ingénieur (Talence, Gironde)
star.origin.linkhttps://www.theses.fr/2010BOR14186
dc.contributor.rapporteurBesbes, Kamel
dc.contributor.rapporteurMunteanu, Daniela
dc.contributor.rapporteurGaldin-Retailleau, Sylvie
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.title=Mod%C3%A9lisation%20compacte%20des%20transistors%20%C3%A0%20nanotube%20de%20carbone%20%C3%A0%20contacts%20Schottky%20et%20application%20aux%20circuits%20num%C3%A9riques&rft.atitle=Mod%C3%A9lisation%20compacte%20des%20transistors%20%C3%A0%20nanotube%20de%20carbone%20%C3%A0%20contacts%20Schottky%20et%20application%20aux%20circuits%20num%C3%A9riques&rft.au=NAJARI,%20Montassar&rft.genre=unknown


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