Afficher la notice abrégée

dc.contributor.advisorLewis, Dean
dc.contributor.authorCELI, Guillaume
dc.contributor.otherPerdu, Philippe
dc.contributor.otherDudit, Sylvain
dc.contributor.otherPouget, Vincent
dc.date2013-03-26
dc.date.accessioned2020-12-14T21:13:47Z
dc.date.available2020-12-14T21:13:47Z
dc.identifier.urihttp://ori-oai.u-bordeaux1.fr/pdf/2013/CELI_GUILLAUME_2013.pdf
dc.identifier.uri
dc.identifier.urihttps://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00904697
dc.identifier.urihttps://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/22163
dc.identifier.nnt2013BOR14774
dc.description.abstractL'analyse de défaillances joue un rôle important dans l'amélioration des performances et de la fabrication des circuits intégrés. Des défaillances peuvent intervenir à tout moment dans la chaîne d'un produit, que ce soit au niveau conception, durant la qualification du produit, lors de la production, ou encore lors de son utilisation. Il est donc important d'étudier ces défauts dans le but d'améliorer la fiabilité des produits. De plus, avec l'augmentation de la densité et de la complexité des puces, il est de plus en plus difficile de localiser les défauts, et ce malgré l'amélioration des techniques d'analyses. Ce travail de thèse s'inscrit dans ce contexte et vise à étudier et développer une nouvelle technique d'analyse de défaillance basée sur l'étude de l'onde laser réfléchie le "Laser Voltage Imaging" (LVI) pour l'analyse de défaillance des technologies ultimes (inférieur à 45nm).
dc.description.abstractEnThe Failure analysis plays an important role in the improvement of the performances and themanufacturing of integrated circuits. Defects can be present at any time in the product chain,during the conception (design), during the qualification, during the production, or still duringits use. It is important to study these defects in order to improve the reliability of the products.Furthermore, with the density increasing and the complexity of the chips, it is harder andharder to localize the defects. This thesis work consists to develop a new failure analysis technique based on the study of thereflected laser beam the "Laser Voltage Imaging" LVI, for the ultimate technologies (below45nm).
dc.language.isofr
dc.subjectAnalyse de défaillance
dc.subjectLocalisation de défauts
dc.subjectSilicium
dc.subjectLVI
dc.subjectThermoréflectance
dc.subjectTFI
dc.subjectStimulation laser
dc.subjectInteraction laser/Silicium
dc.subject.enFailure analysis
dc.subject.enDefect localization
dc.subject.enSilicon
dc.subject.enLVI
dc.subject.enThermoreflectance
dc.subject.enTFI
dc.subject.enAser stimulation
dc.subject.enLaser / silicon interaction
dc.titleEtude, applications et améliorations de la technique LVI sur les défauts rencontrés dans les technologies CMOS avancées 45nm et inférieur.
dc.title.enStudy, applications and improvements of the LVI technique on the advanced CMOS technologies 45nm and below.
dc.typeThèses de doctorat
dc.contributor.jurypresidentMalbert, Nathalie
bordeaux.hal.laboratoriesThèses de l'Université de Bordeaux avant 2014*
bordeaux.hal.laboratoriesLaboratoire de l'intégration du matériau au système (Talence, Gironde)
bordeaux.institutionUniversité de Bordeaux
bordeaux.type.institutionBordeaux 1
bordeaux.thesis.disciplineElectronique
bordeaux.ecole.doctoraleÉcole doctorale des sciences physiques et de l’ingénieur (Talence, Gironde)
star.origin.linkhttps://www.theses.fr/2013BOR14774
dc.contributor.rapporteurBafleur, Marise
dc.contributor.rapporteurBravaix, Alain
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.title=Etude,%20applications%20et%20am%C3%A9liorations%20de%20la%20technique%20LVI%20sur%20les%20d%C3%A9fauts%20rencontr%C3%A9s%20dans%20les%20technologies%20CMOS%20avanc%C3%A9e&rft.atitle=Etude,%20applications%20et%20am%C3%A9liorations%20de%20la%20technique%20LVI%20sur%20les%20d%C3%A9fauts%20rencontr%C3%A9s%20dans%20les%20technologies%20CMOS%20avanc%C3%A9&rft.au=CELI,%20Guillaume&rft.genre=unknown


Fichier(s) constituant ce document

FichiersTailleFormatVue

Il n'y a pas de fichiers associés à ce document.

Ce document figure dans la(les) collection(s) suivante(s)

Afficher la notice abrégée