AMMAR, Abdelaziz; CROS, Christian; POUCHARD, Michel; JAUSSAUD, Nicolas; BASSAT, Jean-Marc.; VILLENEUVE, Gérard; RENY, Edouard

doi:10.1051/jp4:2005123004

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AMMAR, Abdelaziz
Laboratoire de Chimie des Matériaux Solides

CROS, Christian
Institut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux [ICMCB]

POUCHARD, Michel
Institut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux [ICMCB]

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Article de revue

Ce document a été publié dans

Journal de Physique IV Proceedings. 2005, vol. vol. 123, p. p. 29-34

EDP Sciences

Résumé en anglais

The type-II silicon clathrate, Na$_{\rm x}$Si136, having a residual sodium content as low as 37 ppm (x = 0.0062) has been prepared by thermal decomposition of NaSi under high vacuum in the temperature range 340-420 $^{\circ}$C followed by subsequent treatments under high vacuum, and completed by several treaments with iodine at 300-350 $^{\circ}$C. The final sample was characterized by XRD, chemical analysis and EPR spectroscopy. This latter technique proved to be particularly suitable to the characterization of highly diluted sodium atoms in the open host lattice of a type II clathrate of silicon and the quantitaive determination of the residual sodium content.< Réduire

Mots clés en anglais

Characterization

Silicon

Clathrate

NaxSi136

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Preparation and characterization of the silicon clathrate NaxSi136 (x -> 0)

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