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Temperature Compensation in FD-SOI Transistors: A Novel Approach with 27% Performance Improvement via Parasitic Diode Biasing

dc.rights.licenseopenen_US
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorGUILLOT, Maxime
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorDEVAL, Yann
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorLAPUYADE, Herve
IDREF: 120393336
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorRIVET, Francois
IDREF: 135485576
dc.date.accessioned2024-11-19T11:13:54Z
dc.date.available2024-11-19T11:13:54Z
dc.date.issued2024-11-18
dc.date.conference2024-11-18
dc.identifier.urihttps://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/203349
dc.language.isoENen_US
dc.title.enTemperature Compensation in FD-SOI Transistors: A Novel Approach with 27% Performance Improvement via Parasitic Diode Biasing
dc.typeActes de congrès/Proceedingsen_US
dc.subject.halSciences de l'ingénieur [physics]en_US
bordeaux.hal.laboratoriesIMS : Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système - UMR 5218en_US
bordeaux.institutionUniversité de Bordeauxen_US
bordeaux.institutionBordeaux INPen_US
bordeaux.institutionCNRSen_US
bordeaux.conference.title31st IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS)en_US
bordeaux.countryfren_US
bordeaux.teamCIRCUIT DESIGN-CASen_US
bordeaux.conference.cityNancyen_US
bordeaux.inpressnonen_US
hal.identifierhal-04790652
hal.version1
hal.date.transferred2024-11-19T11:13:56Z
hal.conference.end2024-11-20
hal.popularnonen_US
hal.audienceInternationaleen_US
hal.exporttrue
dc.rights.ccPas de Licence CCen_US
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.date=2024-11-18&rft.au=GUILLOT,%20Maxime&DEVAL,%20Yann&LAPUYADE,%20Herve&RIVET,%20Francois&rft.genre=unknown


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