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Une nouvelle approche dans la compréhension de l'interaction SiC/Ti

hal.structure.identifierInstitut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux [ICMCB]
dc.contributor.authorGORSSE, Stéphane
hal.structure.identifierInstitut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux [ICMCB]
dc.contributor.authorLE PETITCORPS, Yann
hal.structure.identifierInstitut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux [ICMCB]
dc.contributor.authorGARRABOS, Yves
dc.date.issued1999-04
dc.identifier.issn1155-4339
dc.description.abstractEnLa morphologie de la zone de réaction du système SiC/Ti a été analysée par microscopie électronique à balayage. La composition des différents constituants a été déterminée par spectroscopie d'électrons Auger et par microsonde électronique. Les analyses montrent que la zone de réaction est constituée des trois composés Ti5Si3Cx, TiCx et Ti3Si. Le diagramme de phases du système Ti - Si - C a été complété à 900°C. Le suivi de l'évolution morphologique de la zone de réaction interfaciale en fonction du temps de recuit de diffusion à 900°C, a permis de déterminer la loi de croissance des particules de TiCx et de préciser les mécanismes en jeu dans l'interaction SiC/Ti.
dc.language.isoen
dc.publisherEDP Sciences
dc.titleUne nouvelle approche dans la compréhension de l'interaction SiC/Ti
dc.typeArticle de revue
dc.identifier.doi10.1051/jp4:1999432
dc.subject.halChimie/Matériaux
bordeaux.journalJournal de Physique IV Proceedings
bordeaux.pagePr4-241-Pr4-248
bordeaux.volume09
bordeaux.issuePR4
bordeaux.peerReviewedoui
hal.identifierhal-03670837
hal.version1
hal.popularnon
hal.audienceInternationale
hal.origin.linkhttps://hal.archives-ouvertes.fr//hal-03670837v1
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