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Selective activation of failure mechanisms in packaged double-heterostructure light emitting diodes using controlled neutron energy irradiation

hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorDESHAYES, Yannick
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorBORD, Isabelle
hal.structure.identifierCentre d'Etudes Nucléaires de Bordeaux Gradignan [CENBG]
dc.contributor.authorBARREAU, Gérard
hal.structure.identifierCentre d'Etudes Nucléaires de Bordeaux Gradignan [CENBG]
dc.contributor.authorAICHE, Mourad
hal.structure.identifierCentre d'Etudes Nucléaires de Bordeaux Gradignan [CENBG]
dc.contributor.authorMORETTO, Philippe
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorBÉCHOU, Laurent
dc.contributor.authorROHERIG, A.C.
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorOUSTEN, Yves
dc.date.issued2008
dc.identifier.issn0026-2714
dc.language.isoen
dc.publisherElsevier
dc.title.enSelective activation of failure mechanisms in packaged double-heterostructure light emitting diodes using controlled neutron energy irradiation
dc.typeArticle de revue
dc.subject.halSciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
bordeaux.journalMicroelectronics Reliability
bordeaux.page1354-1360
bordeaux.issue48
bordeaux.peerReviewedoui
hal.identifierhal-00326851
hal.version1
hal.popularnon
hal.audienceInternationale
hal.origin.linkhttps://hal.archives-ouvertes.fr//hal-00326851v1
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.jtitle=Microelectronics%20Reliability&rft.date=2008&rft.issue=48&rft.spage=1354-1360&rft.epage=1354-1360&rft.eissn=0026-2714&rft.issn=0026-2714&rft.au=DESHAYES,%20Yannick&BORD,%20Isabelle&BARREAU,%20G%C3%A9rard&AICHE,%20Mourad&MORETTO,%20Philippe&rft.genre=article


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