Conception d’amplificateurs de puissance en technologie CMOS pour le standard LTE

Abstract

Le standard LTE permet l’accès au très haut débit mobile et évolue afind’adresser les applications embarquées de type objets connectés. Mais dans la perspectived’un émetteur-récepteur LTE fabriqué dans une technologie CMOS faible-coût ethautement intégrable, l’amplificateur de puissance (PA) reste le seul bloc actif non intégréà ce jour. De plus, l’utilisation de modulations en quadrature oblige la conceptiond’amplificateurs très linéaires, générant une consommation statique plus importante.Dans ce contexte, ces travaux de thèse portent sur la recherche de composants etde circuits permettant d’atteindre de fortes puissances de sortie et de résoudre le compromisentre la linéarité et la consommation du PA. Deux axes de travail sont identifiéset développés dans cette thèse. Le premier axe porte sur l’utilisation d’un transistor depuissance intégrable en technologie CMOS. Trois cellules de puissance basées sur ce composantsont présentées, de l’étude théorique aux résultats de mesure. Dans le second axede recherche, ce transistor est intégré dans une architecture avancée de PA entièrementréalisée en CMOS. Une méthode de conception de transformateurs intégrés est égalementdéveloppée. Le PA proposé est reconfigurable pour adresser les différents besoinsimposés par le standard LTE : puissance de sortie, haute linéarité et faible consommation.