Etude et corrélation de l’influence des paramètres électriques sur la compatibilité électromagnétique

Abstract

Les progrès des techniques de fabrication des systèmes électroniques permettent de réduire considérablement la taille des composants tout en augmentant les performances des circuits intégrés d'un point de vue rapidité ainsi que de consommation pour n'en citer que quelques-unes. Toutefois, cette révolution technologique génère davantage de problèmes de compatibilité électromagnétique (CEM). Pour pallier cela, les ingénieurs qui conçoivent les circuits électroniques réalisent différents tests de simulations et mesures CEM.Cependant, ces tests peuvent paraître insuffisants du fait qu'ils ne tiennent pas compte des variabilités PVT (Process Voltage Temperature) pouvant induire des variations intolérables des caractéristiques CEM des circuits électroniques produits.Les travaux de cette thèse ont pour but de montrer tout l'intérêt de prendre en considération les variations des paramètres électriques, de température et de processus de fabrication, aussi bien pendant la phase de simulation CEM que pendant la phase de mesures CEM, et de proposer des solutions facilement implémentables pour les entreprises de conception de circuits électroniques.Pour ce faire, ces travaux explorent en particulier l'impact des variations des paramètres caractéristiques des différentes formes d'ondes en sortie de cellules de commutation sur leur spectre fréquentiel. Ces cellules sont construites autour d'un transistor à effet de champ, principal acteur des problèmes CEM.