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Room Temperature Terahertz Imaging by a GaAs-HEMT Transistor Associated with a THz Time Domain Spectrometer

hal.structure.identifierGroupe d'étude des semiconducteurs [GES]
dc.contributor.authorEL FATIMY, A.
hal.structure.identifierCentre de physique moléculaire optique et hertzienne [CPMOH]
dc.contributor.authorABRAHAM, Emmanuel
hal.structure.identifierCentre de physique moléculaire optique et hertzienne [CPMOH]
dc.contributor.authorNGUEMA, E.
hal.structure.identifierCentre de physique moléculaire optique et hertzienne [CPMOH]
dc.contributor.authorMOUNAIX, P.
hal.structure.identifierGroupe d'étude des semiconducteurs [GES]
dc.contributor.authorTEPPE, F.
hal.structure.identifierGroupe d'étude des semiconducteurs [GES]
dc.contributor.authorKNAP, W.
hal.structure.identifierResearch Institute of Electrical Communication [Sendai] [RIEC]
dc.contributor.authorOTSUJI, T.
dc.date.issued2008
dc.date.conference2008
dc.description.abstractEnno abstract
dc.language.isoen
dc.publisherIeee
dc.title.enRoom Temperature Terahertz Imaging by a GaAs-HEMT Transistor Associated with a THz Time Domain Spectrometer
dc.typeCommunication dans un congrès
dc.subject.halPhysique [physics]
bordeaux.page673-674
bordeaux.countryZZ
bordeaux.conference.cityUnknown
bordeaux.peerReviewedoui
hal.identifierhal-01553694
hal.version1
hal.invitednon
hal.proceedingsoui
hal.popularnon
hal.audienceInternationale
hal.origin.linkhttps://hal.archives-ouvertes.fr//hal-01553694v1
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.date=2008&rft.spage=673-674&rft.epage=673-674&rft.au=EL%20FATIMY,%20A.&ABRAHAM,%20Emmanuel&NGUEMA,%20E.&MOUNAIX,%20P.&TEPPE,%20F.&rft.genre=unknown


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