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Étude de l'influence du substrat sur la formation de films de diamant. Application au développement de couches minces de nitrure de bore cubique
dc.contributor.advisor | Gérard Demazeau | |
dc.contributor.advisor | Bernard Tanguy | |
hal.structure.identifier | Institut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux [ICMCB] | |
dc.contributor.author | MICHAU, Dominique | |
dc.identifier.nnt | 1995BOR10693 | |
dc.description.abstract | En utilisant une démarche de type "Chimie du Solide", le rôle des principaux facteurs caractérisant la surface du substrat (composition chimique, structure et liaisons chimiques) sur la germination de cristallites de diamant, ainsi que leur morphologie, a ete mis en évidence. La densité de nucléation et le rapport Csp2/Csp3 ont pu notamment etre corrélés a la diffusion du carbone dans le substrat. Afin de contrôler celle-ci, des couches superficielles de composes covalents tels que les nitrures et les borures ont été utilisées. Elles ont permis d'atteindre des densités très importantes de nucléi de diamant pour des temps de dépôt relativement courts. L'ensemble des résultats concernant le dépôt par hétéroépitaxie du diamant a permis de proposer une méthodologie au niveau du choix du substrat et des espèces réactives pour l'obtention de couches minces de nitrure de bore cubique. | |
dc.description.abstractEn | Using a “Solid State Chemistry” type approach, the role of the main factors characterizing the surface of the substrate (chemical composition, structure and chemical bonds) on the germination of diamond crystallites, as well as their morphology, was highlighted. The nucleation density and the Csp2/Csp3 ratio could in particular be correlated with the diffusion of carbon in the substrate. To control this, surface layers of covalent compounds such as nitrides and borides were used. They made it possible to achieve very high densities of diamond nuclei for relatively short deposition times. All the results concerning the deposition by heteroepitaxy of diamond made it possible to propose a methodology in terms of the choice of substrate and reactive species for obtaining thin layers of cubic boron nitride. | |
dc.language.iso | fr | |
dc.subject | Couche mince | |
dc.subject | CVD | |
dc.subject | Diamant | |
dc.subject | Substrat | |
dc.subject | Bore nitrure | |
dc.subject | Composé binaire | |
dc.subject | Réseau cubique | |
dc.subject | Germination cristalline | |
dc.subject | Croissance cristalline en phase vapeur | |
dc.subject | Carbone | |
dc.subject | Diffusion transport | |
dc.subject.en | Thin films | |
dc.subject.en | Diamonds | |
dc.subject.en | Substrates | |
dc.subject.en | Boron nitrides | |
dc.subject.en | Binary compounds | |
dc.subject.en | Cubic lattices | |
dc.subject.en | Crystal nucleation | |
dc.subject.en | Crystal growth from vapors | |
dc.subject.en | Carbon | |
dc.subject.en | Diffusion | |
dc.subject.en | CVD | |
dc.title | Étude de l'influence du substrat sur la formation de films de diamant. Application au développement de couches minces de nitrure de bore cubique | |
dc.title.en | Study of the role of the substrate on the diamond nucleation and application to the development of cubic boron nitride thin films | |
dc.type | Thèses de doctorat | |
dc.subject.hal | Chimie/Matériaux | |
bordeaux.type.institution | Université Sciences et Technologies - Bordeaux I | |
bordeaux.ecole.doctorale | Sciences Chimiques | |
hal.identifier | tel-00143406 | |
hal.version | 1 | |
hal.origin.link | https://hal.archives-ouvertes.fr//tel-00143406v1 | |
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