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Effects of silicon coating degradation on GaN MQW LEDs performances using physical and chemical analyses

hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorBAILLOT, Raphael
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorDESHAYES, Yannick
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorBECHOU, Laurent
hal.structure.identifierInstitut des Sciences Moléculaires [ISM]
dc.contributor.authorBUFFETEAU, T.
hal.structure.identifierInstitut des Sciences Moléculaires [ISM]
dc.contributor.authorPIANET, I.
hal.structure.identifierInstitut des Sciences Moléculaires [ISM]
dc.contributor.authorARMAND, C.
hal.structure.identifierInstitut des Sciences Moléculaires [ISM]
dc.contributor.authorVOILLOT, F.
hal.structure.identifierCentre d'Etudes Nucléaires de Bordeaux Gradignan [CENBG]
dc.contributor.authorSORIEUL, S.
hal.structure.identifierLaboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
dc.contributor.authorOUSTEN, Yves
dc.date.issued2010
dc.identifier.issn0026-2714
dc.language.isoen
dc.publisherElsevier
dc.title.enEffects of silicon coating degradation on GaN MQW LEDs performances using physical and chemical analyses
dc.typeArticle de revue
dc.subject.halSciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
bordeaux.journalMicroelectronics Reliability
bordeaux.page1568-1573
bordeaux.volume50
bordeaux.peerReviewedoui
hal.identifierhal-00979970
hal.version1
hal.popularnon
hal.audienceInternationale
hal.origin.linkhttps://hal.archives-ouvertes.fr//hal-00979970v1
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.jtitle=Microelectronics%20Reliability&rft.date=2010&rft.volume=50&rft.spage=1568-1573&rft.epage=1568-1573&rft.eissn=0026-2714&rft.issn=0026-2714&rft.au=BAILLOT,%20Raphael&DESHAYES,%20Yannick&BECHOU,%20Laurent&BUFFETEAU,%20T.&PIANET,%20I.&rft.genre=article


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