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dc.contributor.authorMONGELLAZ, Benoît
dc.date2004-11-18
dc.date.accessioned2021-01-13T14:04:26Z
dc.date.available2021-01-13T14:04:26Z
dc.identifier.urihttps://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/25651
dc.description.abstractL'évolution croissante des technologies CMOS entraîne le renouvellement des techniques de prédiction de la fiabilité des circuits. Les méthodes statistiques ne suffisent plus pour évaluer la fiabilité des circuits à forte intégration. De nouvelles techniques de prédiction de fiabilité doivent être définies et mises en place afin de répondre rapidement aux contraintes d'analyse de la fiabilité. Une étude de la fiabilité des circuits CMOS doit être prise en charge en amont de la production. Pour cela, il est nécessaire de tenir compte de la dépendance des dispositifs élémentaires aux mécanismes de dégradation au cours du flot de conception des circuits. A partir d'un modèle électrique de dégradation du transistor MOSFET, fondé sur le langage de description comportementale VHDL-AMS, il est démontré qu'une prédiction de la fiabilité des circuits CMOS est réalisable à partir de simulations électriques. Une validation est réalisée à partir d'un circuit CMOS de démonstration : l'amplificateur opérationnel de transconductance. L'intérêt de cette méthode est sa reproductibilité pour la construction de modèles VHDL-AMS de dégradation de circuits CMOS d'abstraction supérieure dans le but d'analyser la fiabilité des systèmes.
dc.description.abstractEnThe increasing CMOS process evolution involves the renewal of the techniques to predict the circuits reliability. The statistical methods are not enough any more to evaluate the reliability of the VLSI circuits. New techniques of reliability prediction must be defined and implemented in order to quickly answer to the constraints of reliability analysis. A study of the CMOS circuits reliability must be dealt with upstream production. Then, it is necessary to hold account the dependence of the elementary devices with the degradation mechanisms during the circuit design flow. From a degradation electric model of transistor MOSFET, founded on the VHDL-AMS behavioral modelling language, it is shown that a prediction of the CMOS circuits reliability is realizable starting from electric simulations. A validation is carried out starting from a CMOS circuit demonstration : the operational transconductance amplifier. The method interest is its reproducibility to build degradation VHDL-AMS models of CMOS circuits with higher description abstraction in order to analyze the reliability of the electronics systems.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagefr
dc.rightsfree
dc.subjectElectronique
dc.subjectCircuit analogique CMOS
dc.subjectModélisation VHDL-AMS
dc.subjectModélisation comportementale
dc.subjectPorteurs chauds
dc.subjectSimulation de vieillissement électrique
dc.titleContribution à l'intégration de la fiabilité dansle flôt de conception des circuits intégrés fondée sur l'utilisation d'un langage de description comportementale VHDL-AMS
dc.typeThèses de doctorat
bordeaux.hal.laboratoriesThèses Bordeaux 1 Ori-Oai*
bordeaux.institutionUniversité de Bordeaux
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.title=Contribution%20%C3%A0%20l'int%C3%A9gration%20de%20la%20fiabilit%C3%A9%20dansle%20fl%C3%B4t%20de%20conception%20des%20circuits%20int%C3%A9gr%C3%A9s%20fond%C3%A9e%20sur%20l&rft.atitle=Contribution%20%C3%A0%20l'int%C3%A9gration%20de%20la%20fiabilit%C3%A9%20dansle%20fl%C3%B4t%20de%20conception%20des%20circuits%20int%C3%A9gr%C3%A9s%20fond%C3%A9e%20sur%20&rft.au=MONGELLAZ,%20Beno%C3%AEt&rft.genre=unknown


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