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dc.contributor.authorCURUTCHET, Arnaud
dc.date2005-09-28
dc.date.accessioned2021-01-13T14:03:37Z
dc.date.available2021-01-13T14:03:37Z
dc.identifier.urihttps://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/25383
dc.description.abstractCe mémoire a pour thème l'étude du bruit de fond aux basses fréquences des transistors microondes de type HEMT sur Nitrure de Gallium (GaN). Le premier chapitre est consacré à la présentation de cette filière technologique. Après une description des propriétés physiques du matériau GaN, le fonctionnement et la fabrication des HEMTs sont détaillés, pour finir sur les performances de ces composants et leurs applications. Le deuxième chapitre décrit les cinq technologies étudiées, ainsi qu'une comparaison de leurs caractéristiques électriques statiques. Le troisième chapitre se rapporte aux mesures de bruit basses fréquences associé au courant de drain. Les mesures sont réalisées en régime ohmique, pour permettre l'extraction du paramètre de Hooge (αH). Pour les deux meilleures technologies étudiées, αH est de l'ordre de 10-4, valeur comparable à celle obtenue pour des filières plus matures, telle que GaAs. L'étude du bruit BF mesuré entre drain et source est ensuite réalisée en fonction de la polarisation du composant, ce qui permet de localiser et de modéliser les sources de bruit prédominantes. Enfin, l'évolution du bruit BF associé au courant de drain en fonction de la température permet d'extraire la signature des pièges profonds. Le quatrième chapitre détaille l'évolution du bruit associé au courant de grille en fonction de la polarisation, et à la corrélation entre le bruit de drain et le bruit de grille. Pour les composants présentant un courant de fuite de grille important, des valeurs proches de 1 indiquent la contribution du bruit du circuit d'entrée au bruit mesuré sur le drain.
dc.description.abstractEnThis report deals with the study of low frequency electrical noise in microwave HEMT, based on Gallium Nitride (GaN). The first chapter details the presentation of GaN HEMTs technology. After a description of GaN physical properties, the fabrication and the operation of HEMTs are described. Finally, a summary of the electrical performances and of the potential applications of those devices is given. The second chapter presents the five technologies under study, and a comparison between the electric static parameters of each technology. The third chapter deals with the LF drain current noise measurements. Measurements are performed in the ohmic regime, which allows the extraction of the Hooge parameter (αH). For the two technologies under study presenting the lowest noise levels, αH is in the range of 10-4, which is comparable to those of mature GaAs technologies. Then, the study of low frequency drain current noise is performed versus the bias of the devices, to locale and model the main noise sources. Then, the evolution of the LF drain current noise versus temperature leads to the extraction of deep level signatures. The last chapter is focused on the low frequency gate current noise analysis versus the bias of HEMTs, and on the correlation between drain and gate noise. For devices presenting high gate leakage current, values of the coherence function close to 1 show the contribution of the input circuit noise on the measured drain noise.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagefr
dc.rightsfree
dc.subjectElectronique
dc.subjectHEMT
dc.subjectGaN
dc.subjectBruit Basses Fréquences,
dc.subjectMesure de corrélation
dc.titleEtude du bruit aux basses fréquences dans les transistors à haute mobilité électronique à base de Nitrure de Gallium
dc.typeThèses de doctorat
bordeaux.hal.laboratoriesThèses Bordeaux 1 Ori-Oai*
bordeaux.institutionUniversité de Bordeaux
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.title=Etude%20du%20bruit%20aux%20basses%20fr%C3%A9quences%20dans%20les%20transistors%20%C3%A0%20haute%20mobilit%C3%A9%20%C3%A9lectronique%20%C3%A0%20base%20de%20Nitrure%20de%20&rft.atitle=Etude%20du%20bruit%20aux%20basses%20fr%C3%A9quences%20dans%20les%20transistors%20%C3%A0%20haute%20mobilit%C3%A9%20%C3%A9lectronique%20%C3%A0%20base%20de%20Nitrure%20de%2&rft.au=CURUTCHET,%20Arnaud&rft.genre=unknown


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