Développement et étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/Sige verticaux sur substrats SOI minces

Abstract

Les applications radio-fréquences nécessitent le développement de technologies BiCMOS sur SOI. Cette étude a pour objectif l'intégration d'un transistor bipolaire dans une technologie 0.13μm sur substrat SOI. Le choix de l’architecture s’est porté sur une structure émetteur-base auto-alignée et un collecteur implanté. Les transistors fabriqués ont montré un comportement particulier résultant de la faible épaisseur du collecteur, localisé dans la couche supérieure du SOI. Ce fonctionnement atypique a pu être expliqué grâce à étude de l’avalanche dans le collecteur. Une série d’optimisation a ainsi été proposée, grâce à la compréhension des mécanismes de désertion dans le collecteur, et un modèle compact a été développé à partir du modèle HiCUM, en adaptant la topologie du collecteur. Finalement, cette étude a donné lieu au développement d'une technologie BiCMOS complète intégrant des transistors MOS complémentaires et les transistors bipolaires issus de cette étude.