Afficher la notice abrégée

dc.contributor.advisorManeux, Cristell
dc.contributor.advisorZimmer, Thomas
dc.contributor.authorWEISZ, Mario
dc.contributor.otherArdouin, Bertrand
dc.contributor.otherCeli, Didier
dc.contributor.otherFrégonèse, Sébastien
dc.date2013-11-25
dc.date.accessioned2020-12-14T21:16:02Z
dc.date.available2020-12-14T21:16:02Z
dc.identifier.urihttp://ori-oai.u-bordeaux1.fr/pdf/2013/WEISZ_MARIO_2013.pdf
dc.identifier.urihttps://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01249529
dc.identifier.urihttps://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/22532
dc.identifier.nnt2013BOR14909
dc.description.abstractCe travail concerne les transistors bipolaires à hétérogène TBH SiGe. En particulier, l'auto-échauffement des transistors unitaires et le couplage thermique avec leurs plus proches voisins périphériques sont caractérisés et modélisés. La rétroaction électrothermique intra- et inter-transistor est largement étudiée. En outre, l’impact des effets thermiques sur la performance de deux circuits analogiques est évalué. L'effet d'autoéchauffement est évalué par des mesures à basse fréquence et des mesures impulsionnelles DC et AC. L'auto-échauffement est diminué de manière significative en utilisant des petites largeurs d'impulsion. Ainsi la dépendance fréquentielle de l’autoéchauffementa été étudiée en utilisant les paramètres H et Y. De nouvelles structures de test ont été fabriqués pour mesurer l'effet de couplage. Les facteurs de couplage thermique ont été extraits à partir de mesures ainsi que par simulations thermiques 3D. Les résultats montrent que le couplage des dispositifs intra est très prononcé. Un nouvel élément du modèle de résistance thermique récursive ainsi que le modèle de couplage thermique a été inclus dans un simulateur de circuit commercial. Une simulation transitoire entièrement couplée d'un oscillateur en anneau de 218 transistors a été effectuée. Ainsi, un retard de porte record de 1.65ps est démontré. À la connaissance des auteurs, c'est le résultat le plus rapide pour une technologie bipolaire. Le rendement thermique d'un amplificateur de puissance à 60GHz réalisé avec un réseau multi-transistor ou avec un transistor à plusieurs doigts est évalué. La performance électrique du transistor multidoigt est dégradée en raison de l'effet de couplage thermique important entre les doigts de l'émetteur. Un bon accord est constaté entre les mesures et les simulations des circuits en utilisant des modèles de transistors avec le réseau de couplage thermique. Enfin, les perspectives sur l'utilisation des résultats sont données.
dc.description.abstractEnThe power generate by modern silicon germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs) can produce large thermal gradients across the silicon substrate. The device opering temperature modifies model parameters and can significantly affect circuit operation. This work characterizes and models self-heating and thermal coupling in SiGe HBTs. The self-heating effect is evaluated with low frequency and pulsed measurements. A novel pulse measurement system is presented that allows isothermal DC and RF measurements with 100ns pulses. Electrothermal intra- and inter-device feedback is extensively studied and the impact on the performance of two analog circuits is evaluated. Novel test structures are designed and fabricated to measure thermal coupling between single transistors (inter-device) as well as between the emitter stripes of a multi-finger transistor (intra-device). Thermal coupling factors are extracted from measurements and from 3D thermal simulations. Thermally coupled simulations of a ring oscillator (RO) with 218 transistors and of a 60GHz power amplifier (PA) are carried out. Current mode logic (CML) ROs are designed and measured. Layout optimizations lead to record gate delay of 1.65ps. The thermal performance of a 60GHz power amplifier is compared when realized with a multi-transistor array (MTA) and with a multi-finger trasistor (MFT). Finally, perspectives of this work within a CAD based circuit design environment are discussed.
dc.language.isoen
dc.subjectHétéro-transistors bipolaires (HBT)
dc.subjectTechnologies térahertz
dc.subjectModélisation électrothermique
dc.subjectCouplage thermique mutuel
dc.subjectDispositif à des interactions de circuit
dc.subjectOscillateur en anneau
dc.subjectRetards de grille de multiplication
dc.subjectAmplificateur de puissance
dc.subjectTransistor à plusieurs doigts
dc.subjectRésistance thermique
dc.subjectCapacité thermique
dc.subjectImpédance thermique
dc.subjectCaractérisations de dispositifs à semi-conducteurs
dc.subjectMesures impulsion
dc.subjectModélisation d'un dispositif semi-conducteur
dc.subjectSimulation TCAD thermique
dc.subject.enHetero-junction bipolar transistors (HBTs)
dc.subject.enTerahertz technologies
dc.subject.enElectrothermal modeling
dc.subject.enMutual thermal coupling
dc.subject.enIntra-device coupling
dc.subject.enInter-device coupling
dc.subject.enDevice to circuit interactions
dc.subject.enRing oscillator
dc.subject.enPropagation gate delay
dc.subject.enPower amplifier
dc.subject.enMulti-finger transistor
dc.subject.enThermal resistance
dc.subject.enThermal capacitance
dc.subject.enThermal impedance
dc.subject.enSemiconductor device characterizations
dc.subject.enPulse measurements
dc.subject.enSemiconductor device modeling
dc.subject.enThermal TCAD simulation
dc.titleInteractions électrothermiques du transistor au circuit pour des technologies demi-THz TBH SiGe∶C
dc.title.enElectrothermal device-to-circuit interactions for half THz SiGe∶C HBT technologies
dc.typeThèses de doctorat
dc.contributor.jurypresidentBegueret, Jean-Baptiste
bordeaux.hal.laboratoriesThèses de l'Université de Bordeaux avant 2014*
bordeaux.hal.laboratoriesLaboratoire de l'intégration du matériau au système (Talence, Gironde)
bordeaux.hal.laboratoriesLaboratoire de l'intégration du matériau au système / IMS
bordeaux.institutionUniversité de Bordeaux
bordeaux.type.institutionBordeaux 1
bordeaux.thesis.disciplineElectronique
bordeaux.ecole.doctoraleÉcole doctorale des sciences physiques et de l’ingénieur (Talence, Gironde)
star.origin.linkhttps://www.theses.fr/2013BOR14909
dc.contributor.rapporteurGaquière, Christophe
dc.contributor.rapporteurPfeiffer, Ullrich
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.title=Interactions%20%C3%A9lectrothermiques%20du%20transistor%20au%20circuit%20pour%20des%20technologies%20demi-THz%20TBH%20SiGe%E2%88%B6C&rft.atitle=Interactions%20%C3%A9lectrothermiques%20du%20transistor%20au%20circuit%20pour%20des%20technologies%20demi-THz%20TBH%20SiGe%E2%88%B6C&rft.au=WEISZ,%20Mario&rft.genre=unknown


Fichier(s) constituant ce document

FichiersTailleFormatVue

Il n'y a pas de fichiers associés à ce document.

Ce document figure dans la(les) collection(s) suivante(s)

Afficher la notice abrégée