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dc.contributor.advisorWoirgard, Eric
dc.contributor.advisorButtay, Cyril
dc.contributor.advisorAzzopardi, Stéphane
dc.contributor.authorSABBAH, Wissam
dc.contributor.otherMeuret, Régis
dc.date2013-06-25
dc.date.accessioned2020-12-14T21:14:11Z
dc.date.available2020-12-14T21:14:11Z
dc.identifier.urihttp://www.theses.fr/2013BOR12013/abes
dc.identifier.urihttps://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/22235
dc.identifier.nnt2013BOR12013
dc.description.abstractLe développement de composants de puissance à base de carbure de silicium (SiC) permet la réalisation d’interrupteurs pouvant fonctionner au-delà de 200°C. Le silicium présente plus de limitations au niveau physique du matériau qu’au niveau des technologies d’assemblages. Le SiC est un matériau semi-conducteur grand gap ce qui permet d’obtenir des courants de fuite inverse qui restent faibles à haute température ; d’où un fort intérêt pour des applications haute température. Mise à part son utilisation à des températures pouvant dépasser les 300°C, c’est un matériau qui permet aussi d’augmenter les fréquences de commutation ainsi que la densité de puissance par rapport à des composants à technologie silicium. Ceci en fait un candidat idéal pour des applications forte puissance dans le domaine de la traction, des protections de réseaux électriques ou de la transmission et de la distribution d’énergie. L’utilisation du SiC pour une application haute température pose le problème de son packaging, des choix de matériaux et de sa configuration. Cette thèse a pour but d’effectuer une étude de fiabilité et de durée de vie des briques technologiques d’assemblage et de connexions nécessaires à la réalisation d’un cœur de puissance haute température à base de JFET SiC. Une étude des différentes technologies d’assemblages de convertisseurs de puissance haute température est effectuée afin de définir différentes briques technologiques constitutives de ces systèmes. Cette première étude nous permet de procéder à une sélection de certaines technologies d’assemblages comme le frittage de pâtes d’argent pour la technologie de report de puces. Ces briques technologiques feront l’objet d’études plus approfondies allant de la réalisation de véhicules tests jusqu’à la mise au point des essais de cyclages associés aux techniques d’analyse nécessaires à l’étude de leur défaillance.Les études expérimentales concernent des essais de cyclage passif et de stockage thermique, l’apparition de délaminages en cours de cyclage thermique (scan acoustique, RX), le report par frittage de pâtes d’argent nano et microscopiques et la caractérisation électrique et thermique (Rth, I[V]).
dc.description.abstractEnThe development of power components based on silicon carbide (SiC) allows for the design of power converter operating at high temperature (above 200 or 300°C). SiC is a semiconductor material with a large band gap that not only can operate in temperatures exceeding 300°C but also offers fast switching speed, high voltage blocking capability and higher thermal conductivity compared to silicon technology components. The classical die attach technology uses high temperature solder alloys which melt at around 300°C. However, even a soldered die attach with such high melting point can only operate up to a much lower temperature. Alternative die attach solutions have recently been proposed: Transient Liquid Phase Bonding, soldering with higher melting point alloys such as ZnSn, or silver sintering.Silver sintering is a very interesting technology, as silver offers very good thermal conductivity (429W/m.K, better than copper), relatively inexpensive (compared to alternative solutions which often use gold), and has a very high melting point (961°C).The implementation of two silver-sintering processes is made: one based on micrometer-scale silver particles, and one on nano-meter-scale particles. Two substrate technologies are investigated: Al2O3 DBC and Si3N4 AMB. After the process optimization, tests vehicles are assembled using nano and micro silver particles paste and a more classical high-temperature die attach technology: AuGe soldering. Multiple analyses are performed, such as thermal resistance measurement, shear tests and micro-sections to follow the evolution of the joint during thermal cycling and high-temperature storage ageing.
dc.language.isofr
dc.subjectHaute temperature
dc.subjectCyclage thermique
dc.subjectStockage thermique
dc.subjectCarbure de silicium
dc.subjectReport de puce
dc.subjectFrittage d’argent
dc.subjectBrasure or-germanium
dc.subjectVieillissements accélérés
dc.subjectAnalyse RX et acoustique
dc.subjectMicrosection
dc.subjectDélaminage
dc.subjectCaratérisation électrique
dc.subject.enHigh temperature
dc.subject.enSilver die-attach
dc.subject.enSilver sintering
dc.subject.enDie shear test
dc.subject.enGold-Germanium solder
dc.subject.enSilicone carbide
dc.subject.enPower electronics packaging
dc.subject.enThermal cycling and high-temperature storage ageing
dc.titleContribution à l’étude des assemblages et connexions nécessaires à la réalisation d’un module de puissance haute température à base de jfet en carbure de silicium (SiC)
dc.typeThèses de doctorat
dc.contributor.jurypresidentMorancho, Frédéric
bordeaux.hal.laboratoriesThèses de l'Université de Bordeaux avant 2014*
bordeaux.hal.laboratoriesLaboratoire de l'intégration du matériau au système (Talence, Gironde)
bordeaux.hal.laboratoriesLaboratoire de l'intégration du matériau au système / IMS
bordeaux.institutionUniversité de Bordeaux
bordeaux.type.institutionBordeaux 1
bordeaux.thesis.disciplineÉlectronique
bordeaux.ecole.doctoraleÉcole doctorale des sciences physiques et de l’ingénieur (Talence, Gironde)
star.origin.linkhttps://www.theses.fr/2013BOR12013
dc.contributor.rapporteurVidal, Paul-Etienne
dc.contributor.rapporteurPlanson, Dominique
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.title=Contribution%20%C3%A0%20l%E2%80%99%C3%A9tude%20des%20assemblages%20et%20connexions%20n%C3%A9cessaires%20%C3%A0%20la%20r%C3%A9alisation%20d%E2%80%99un%20module%20de%20puis&rft.atitle=Contribution%20%C3%A0%20l%E2%80%99%C3%A9tude%20des%20assemblages%20et%20connexions%20n%C3%A9cessaires%20%C3%A0%20la%20r%C3%A9alisation%20d%E2%80%99un%20module%20de%20pui&rft.au=SABBAH,%20Wissam&rft.genre=unknown


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