Élaboration de nouvelles méthodologies d’évaluation de la fiabilité de circuits nanoélectroniques

EL MOUKHTARI, Issam

dc.contributor.advisor	Lewis, Dean
dc.contributor.advisor	Pouget, Vincent
dc.contributor.advisor	Darracq, Frédéric
dc.contributor.author	EL MOUKHTARI, Issam
dc.contributor.other	Perdu, Philippe
dc.date	2012-11-29
dc.date.accessioned	2020-12-14T21:14:05Z
dc.date.available	2020-12-14T21:14:05Z
dc.identifier.uri	http://ori-oai.u-bordeaux1.fr/pdf/2012/EL_MOUKHTARI_ISSAM_2012.pdf
dc.identifier.uri	https://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/22218
dc.identifier.nnt	2012BOR14650
dc.description.abstract	Ce travail constitue une contribution à l’étude de la synergie entre le vieillissement accéléré et l’évolution de la robustesse aux évènements singuliers pour les technologies MOS avancées. Ce manuscrit expose le travail fait autour de la Caractérisations des mécanismes de dégradation NBTI, HCI, TDDB et Electromigration sur les structures de tests conçues dans le véhicule de test NANOSPACE en technologie CMOS LP 65 nm. Il décrit aussi l’évaluation de la robustesse face aux évènements singuliers après un vieillissement de type NBTI sur les chaines de portes logiques (inverseurs, NOR, bascules D). Cette dernière partie nous a permis de démontrer que le vieillissement de type NBTI améliore la robustesse face aux SET dans ce cas d’étude.
dc.description.abstractEn	This work is a contribution to the study of the synergy between accelerated aging and the evolution of robustness to single event effects for advanced MOS technologies.This manuscript describes the work done around the characterization of degradation mechanisms NBTI, HCI, TDDB and Electromigration on test structures designed in the NANOSPACE test vehicle on CMOS 65 nm Low Power technology. It also describes the evaluation of the robustness to Single Events Effects after NBTI aging on chains of logic gates (inverters, NOR, D flip-flops). This last part allows to show that the NBTI aging improves the robustness to SET in this case of study.
dc.language.iso	fr
dc.subject	Nbti
dc.subject	Porteurs chaud
dc.subject	Tddb
dc.subject	Électromigration
dc.subject	Effets singuliers
dc.subject	Test par faisceau Laser pulsé
dc.subject	CMOS 65 nm basse puissance
dc.subject	Robustesse
dc.subject.en	Nbti
dc.subject.en	Hci
dc.subject.en	Tddb
dc.subject.en	Electromigration
dc.subject.en	Single Event Effects
dc.subject.en	Pulsed laser testing
dc.subject.en	CMOS 65 nm Low Power
dc.subject.en	Robustness
dc.title	Élaboration de nouvelles méthodologies d’évaluation de la fiabilité de circuits nanoélectroniques
dc.type	Thèses de doctorat
dc.contributor.jurypresident	Labat, Nathalie
bordeaux.hal.laboratories	Thèses de l'Université de Bordeaux avant 2014	*
bordeaux.hal.laboratories	Laboratoire de l'intégration du matériau au système (Talence, Gironde)
bordeaux.institution	Université de Bordeaux
bordeaux.type.institution	Bordeaux 1
bordeaux.thesis.discipline	Electronique
bordeaux.ecole.doctorale	École doctorale des sciences physiques et de l’ingénieur (Talence, Gironde)
star.origin.link	https://www.theses.fr/2012BOR14650
dc.contributor.rapporteur	Bafleur, Marise
dc.contributor.rapporteur	Saigné, Frédéric
bordeaux.COinS	ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.title=%C3%89laboration%20de%20nouvelles%20m%C3%A9thodologies%20d%E2%80%99%C3%A9valuation%20de%20la%20fiabilit%C3%A9%20de%20circuits%20nano%C3%A9lectroniques&rft.atitle=%C3%89laboration%20de%20nouvelles%20m%C3%A9thodologies%20d%E2%80%99%C3%A9valuation%20de%20la%20fiabilit%C3%A9%20de%20circuits%20nano%C3%A9lectroniques&rft.au=EL%20MOUKHTARI,%20Issam&rft.genre=unknown

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