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dc.contributor.advisorDoumerc, Jean-Pierre
dc.contributor.advisorVillesuzanne, Antoine
dc.contributor.authorLONTSI FOMENA, Mireille
dc.date2008-12-11
dc.date.accessioned2020-12-14T21:11:02Z
dc.date.available2020-12-14T21:11:02Z
dc.identifier.urihttp://ori-oai.u-bordeaux1.fr/pdf/2008/LONTSI_FOMENA_MIREILLE_2008.pdf
dc.identifier.urihttps://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/21713
dc.identifier.nnt2008BOR13703
dc.description.abstractLa miniaturisation des composants CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) impose l’emploi de matériaux diélectriques de permittivité élevée. LaAlO3 et SrTiO3 sont aujourd’hui parmi les meilleurs candidats ; toutefois, la diffusion de l’oxygène dans ces matériaux conduit à la dégradation des propriétés électriques et de l’interface avec le silicium. Ce travail théorique a pour but d’étudier les facteurs gouvernant, à l’échelle de la liaison chimique, la diffusion de l’ion oxygène. L’approche choisie repose sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), couplée à des méthodes d’analyse de la densité électronique, et sur le développement d’un outil original : les cartes de densité d’énergie. Les régions de la densité électronique contribuant à la barrière de diffusion ont ainsi pu être identifiées; une optimisation de ces matériaux à l’échelle de la liaison chimique peut alors être envisagée.
dc.description.abstractEnThe miniaturization of CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) components requires the use of high dielectric permittivity materials as gate oxide. LaAlO3 and SrTiO3 are among the best candidates, but the oxygen diffusion in these materials leads to the degradation of both the electrical properties and the interface with silicon. In this context, the aim of this theoretical work is to study the factors governing the oxygen ion diffusion at the chemical bonding scale. This approach is based on Density Functional Theory (DFT), coupled with electron density analysis methods, and the pioneering development of energy density cards. The regions of the electron density contributing to the diffusion barrier have been identified allowing new routes of optimization of these materials across the chemical bonding.
dc.language.isofr
dc.subjectOxydes « high-k »
dc.subjectDiffusion de l’ion oxygène
dc.subjectAnalyse topologique de la densité électronique
dc.subjectThéorie de la Fonctionnelle de la Densité Electronique
dc.subjectCartes de densité d’énergie
dc.subjectDéfauts: lacunes
dc.subject.en«High-k» oxides
dc.subject.enOxygen ion diffusion
dc.subject.enDefects: vacancies
dc.subject.enElectron Density Functional Theory
dc.subject.enTopological analysis of electron density
dc.subject.enEnergy density cards
dc.titleEtude théorique de la diffusion de l’oxygène dans des oxydes diélectriques
dc.title.enTheoretical study of oxygen diffusion in gate oxides
dc.typeThèses de doctorat
bordeaux.hal.laboratoriesThèses de l'Université de Bordeaux avant 2014*
bordeaux.institutionUniversité de Bordeaux
bordeaux.type.institutionBordeaux 1
bordeaux.thesis.disciplinePhysico-Chimie de la Matière Condensée
bordeaux.ecole.doctoraleÉcole doctorale des sciences chimiques (Talence, Gironde)
star.origin.linkhttps://www.theses.fr/2008BOR13703
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.title=Etude%20th%C3%A9orique%20de%20la%20diffusion%20de%20l%E2%80%99oxyg%C3%A8ne%20dans%20des%20oxydes%20di%C3%A9lectriques&rft.atitle=Etude%20th%C3%A9orique%20de%20la%20diffusion%20de%20l%E2%80%99oxyg%C3%A8ne%20dans%20des%20oxydes%20di%C3%A9lectriques&rft.au=LONTSI%20FOMENA,%20Mireille&rft.genre=unknown


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