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dc.contributor.advisorKerhervé, Eric
dc.contributor.advisorGhiotto, Anthony
dc.contributor.authorREDOIS, Samuel
dc.contributor.otherLouis, Bruno
dc.contributor.otherMancuso, Yves
dc.date2020-10-09
dc.date.accessioned2023-03-27T08:20:56Z
dc.date.available2023-03-27T08:20:56Z
dc.identifier.urihttp://www.theses.fr/2020BORD0129/abes
dc.identifier.uri
dc.identifier.urihttps://tel.archives-ouvertes.fr/tel-04027808
dc.identifier.urihttps://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/172611
dc.identifier.nnt2020BORD0129
dc.description.abstractAfin de répondre à l’augmentation de l’intégration et de la montée en puissance des systèmes électroniques aéroportés, de nouvelles architectures Radar vont être développées. Pour répondre à ces enjeux technologiques, les technologies silicium sont en voie de remplacer certaines technologies III-V, comme l’AsGa, dans la réalisation de nombreuses fonctions. En particulier, plusieurs travaux ont montré la pertinence de la technologie SiGe grâce sa tenue en puissance, sa miniaturisation ainsi que son fonctionnement en haute fréquence. Dans le but d’assurer un fonctionnement haute puissance, tout conservant les critères de fiabilité relatifs aux applications Radar à antennes actives, plusieurs architectures équilibrées ont été développées. Une méthodologie de conception des combineurs de puissance et des amplificateurs est développée afin de bénéficier au maximum des avantages proposés par la technologie SiGe. Ces circuits sont intégrés, puis validés, afin de mettre en exergue la pertinence de la technologie SiGe pour des applications moyenne et haute puissance en bande X.
dc.description.abstractEnIn order to respond to the increasing integration and ramp-up of airborne electronic systems, new Radar architectures are developed. To meet these technological challenges, silicon technologies are in the process of replacing III-V technologies, such as AsGa technology, in the performance of similar functions. In particular, the relevance of SiGe technology has been shown in several studies thanks to its power handling, miniaturization and high-frequency operation. In order to ensure high-power operation while maintaining the reliability criteria for active antenna radar applications, several balanced architectures have been developed. A design methodology for power combiners and amplifiers has been developed to take full advantage of the benefits offered by SiGe technology. These circuits are integrated and validated to highlight the relevance of SiGe technology for medium and high power X-band applications.
dc.language.isofr
dc.subjectAmplificateur de puissance
dc.subjectRadar
dc.subjectSiGe
dc.subjectArchitecture équilibrée
dc.subjectCoupleur hybride
dc.subject.enPower Amplifier
dc.subject.enRadar
dc.subject.enSiGe
dc.subject.enBalanced Architecture
dc.subject.enHybrid Coupler
dc.titleConception et réalisation d’amplificateurs de puissance bande X en technologie SiGe pour applications Radar
dc.title.enDesign and Realization of X-Band Power Amplifier in SiGe technology for Radar Applications
dc.typeThèses de doctorat
dc.contributor.jurypresidentDeval, Yann
bordeaux.hal.laboratoriesLaboratoire de l'intégration du matériau au système (Talence, Gironde)
bordeaux.type.institutionBordeaux
bordeaux.thesis.disciplineElectronique
bordeaux.ecole.doctoraleÉcole doctorale des sciences physiques et de l’ingénieur (Talence, Gironde)
star.origin.linkhttps://www.theses.fr/2020BORD0129
dc.contributor.rapporteurNallatamby, Jean-Christophe
dc.contributor.rapporteurGaquière, Christophe
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.title=Conception%20et%20r%C3%A9alisation%20d%E2%80%99amplificateurs%20de%20puissance%20bande%20X%20en%20technologie%20SiGe%20pour%20applications%20Radar&rft.atitle=Conception%20et%20r%C3%A9alisation%20d%E2%80%99amplificateurs%20de%20puissance%20bande%20X%20en%20technologie%20SiGe%20pour%20applications%20Radar&rft.au=REDOIS,%20Samuel&rft.genre=unknown


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