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Scattering mechanisms and electronic behavior in transparent conducting ZnxIn2Ox+3 indium-zinc oxide thin films

hal.structure.identifierCEA Le Ripault [CEA Le Ripault]
dc.contributor.authorMARCEL, C.
hal.structure.identifierInstitut de Recherche et Développement sur l'Energie Photovoltaïque [IRDEP]
dc.contributor.authorNAGHAVI, Negar
hal.structure.identifierCentre de physique moléculaire optique et hertzienne [CPMOH]
dc.contributor.authorCOUTURIER, G.
hal.structure.identifierCentre de physique moléculaire optique et hertzienne [CPMOH]
dc.contributor.authorSALARDENNE, J.
hal.structure.identifierRéseau sur le stockage électrochimique de l'énergie [RS2E]
dc.contributor.authorTARASCON, J.-M.
dc.date.issued2002
dc.identifier.issn0021-8979
dc.description.abstractEnno abstract
dc.language.isoen
dc.publisherAmerican Institute of Physics
dc.title.enScattering mechanisms and electronic behavior in transparent conducting ZnxIn2Ox+3 indium-zinc oxide thin films
dc.typeArticle de revue
dc.identifier.doi10.1063/1.1445496
dc.subject.halPhysique [physics]
bordeaux.journalJournal of Applied Physics
bordeaux.page4291-4297
bordeaux.volume91
bordeaux.issue7
bordeaux.peerReviewedoui
hal.identifierhal-01550773
hal.version1
hal.popularnon
hal.audienceInternationale
hal.origin.linkhttps://hal.archives-ouvertes.fr//hal-01550773v1
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.jtitle=Journal%20of%20Applied%20Physics&rft.date=2002&rft.volume=91&rft.issue=7&rft.spage=4291-4297&rft.epage=4291-4297&rft.eissn=0021-8979&rft.issn=0021-8979&rft.au=MARCEL,%20C.&NAGHAVI,%20Negar&COUTURIER,%20G.&SALARDENNE,%20J.&TARASCON,%20J.-M.&rft.genre=article


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