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hal.structure.identifierLaboratoire d'Optique Appliquée [FYAM]
dc.contributor.authorNASSIM, K.
hal.structure.identifierLaboratoire d'Optique Appliquée [FYAM]
dc.contributor.authorJOANNES, L.
hal.structure.identifierLaboratoire d'Optique Appliquée [FYAM]
dc.contributor.authorCORNET, A.
hal.structure.identifierCentre de physique moléculaire optique et hertzienne [CPMOH]
dc.contributor.authorDILHAIRE, Stefan
hal.structure.identifierCentre de physique moléculaire optique et hertzienne [CPMOH]
dc.contributor.authorSCHAUB, Emmanuel
hal.structure.identifierCentre de physique moléculaire optique et hertzienne [CPMOH]
dc.contributor.authorCLAEYS, W.
dc.date.issued1998
dc.identifier.isbn2-913329-01-2
dc.language.isoen
dc.title.enHigh resolution interferometry (HRI) and electronic speckle pattern interferometry (ESPI) applied to the thermomechanical study of a MOS power transistor
dc.typeOuvrage
dc.subject.halPhysique [physics]
bordeaux.page227-231
hal.identifierhal-01840915
hal.version1
hal.popularnon
hal.audienceInternationale
hal.origin.linkhttps://hal.archives-ouvertes.fr//hal-01840915v1
bordeaux.COinSctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.date=1998&rft.spage=227-231&rft.epage=227-231&rft.au=NASSIM,%20K.&JOANNES,%20L.&CORNET,%20A.&DILHAIRE,%20Stefan&SCHAUB,%20Emmanuel&rft.isbn=2-913329-01-2&rft.genre=unknown


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